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碳化硅MOSFET驱动及保护设计 2019-06-04 10:00:00
  • Q碳化硅器件的主要应用场景有哪些?

    A目前比较多的是光伏,充电,UPS行业,未来在汽车,牵引也会广泛应用

  • Q对于驱动板,如果要布4层板的话,怎样安排层数和布线是合适的?

    A地线可以考虑拥有两层,保证电源和信号层的寄生参数都较小

  • Q有内部集成驱动芯片的碳化硅MOSFET产品吗?

    A目前没有

  • Q你好,请问针对短路保护电路,应该怎么选择二极管呢?

    A 高温时电压漂移小的

  • QSiC和GaN相比较,各有哪些特点?

    A耐压相对更高,但使用频率可能没有GaN高

  • Q碳化硅MOSFET器件的内阻能做到多小?

    A 英飞凌目前量产产品是30mohm

  • Q碳化硅MOSFET的极限功率能有多高?

    A目前看不清楚上限

  • Q碳化硅MOSFET器件优选务须注重哪几项实用的主要参数呢?

    A与硅MOS类似

  • Q与罗姆半导体的碳化硅MOSFET相比,英飞凌的碳化硅MOSFET是否拥有哪些独特的创新元素或创新优势呢?

    A 英飞凌SiC MOSFET采用了独特的沟槽结构,使得栅极的氧化层的可靠性更好,阈值电压与驱动电压与IGBT兼容;创新的沟槽刻蚀工艺,沟槽壁更光滑,耐压更高

  • Q是否也有电磁干扰问题?如何合理解决?

    A有,需要良好设计

  • Q碳化硅MOSFET有无可靠性高保障?MTBF水平多高?

    A英飞凌碳化硅出厂都要经过严格测试

  • Q确保碳化硅MOSFET的安全运行须有哪些有效的保护措施护航?

    A跟硅MOS类似

  • Q碳化硅MOSFET的驱动有啥特点或要求?

    A问题不清楚

  • Q碳化硅MOSFET的散热是否须有哪些特殊的严格要求呢?

    A于硅MOS一样

  • Q碳化硅MOSFET有无应用局限?

    A 有些应用对dvdt有严格限制的话,碳化硅可能发挥不出优势,性价比不高

  • QMos管并联时候驱动的注意事项。

    A 驱动也是要对称,并联最主要的是对称

  • Q现有的短路保护方案对器件短路耐受时间的最低要求是几us?

    A 现有的短路保护方案可以在最短1us关断器件,器件的短路耐受时间应具有2us的短路耐量

  • Q碳化硅MOSFET这类器件的伏安参数极限有多高?

    A 平时使用的都是电阻区,比较线性

  • Q测量负载输出方面,需要注意哪些点?

    A输出要对称

  • Q碳化硅MOSFET有无可靠性高保障?

    A英飞凌碳化硅出厂都要经过严格测试