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Q英飞凌的产品在市场上有很大的占有率，性能也很好，贵司有哪些独特的技术?
A 采用沟槽栅结构 具有更高的可靠性；门极阈值电压较高，具有更好的抗干扰能力等。请关注我们公众号，里面有更详细信息。
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Q栅极布线电容如何计算呢
A C_PCB=A/d ε_(r,FR4)∙ε_0， 其中，ε_0=8.854187817∗〖10〗^(-12) F/m 例如: 3.8 < er,FR4 < 4.6
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Q门极误开通能否彻底避免？关键措施在哪？
A 门极是米勒导通，只要有dvdt就不可避免，关键措施是在这种时刻能提供泻放回路，但又最好不要影响正常开关速度为佳
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Q负载输出如何做到对称呢
A尝试多种输出点，经过测量比较，选择最对称的
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Q何为米勒钳位？
A 就是在功率器件本身处于关断状态时，由对管dvdt经过Cgd灌入门极致使电压上升，如过这时有个泻放回路能保证低的门极电压，不超过阈值电压，这种钳位叫米勒钳位
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Q请问碳化硅目前应用于哪些功率范围内的器件?
A没有严格限制，多并联可以产生更大的功率
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Q怎么抑制电压漂移
A 请参阅 应用笔记 AN2018-09-Guidelines for CoolSiC™ MOSFET gate drive voltage window
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Q碳化硅除了MOSFET IGBT外还有哪些器件可以用到?
A 二极管也有成熟的商用产品
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Q门极C.D极多少值合适？
A问题不清楚
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Q关于pcb布线有没有可以供参考的案例
A 请参考郑工的PPT
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Q这个在EMI方面会不会难过点
A高开关速度会带来这个问题，设计方面需要注意
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Q碳化硅在布线是需要注意哪些？
A请参考郑工PPT
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Q如何防止门极误导通？
A 器件的选择考虑较高的阈值电压，驱动板设计考虑合理的门极布线以及开通速率的折中
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Q怎么样才能提高碳化硅的耐压范围？
A 如果您是从芯片的设计角度讲，那么芯片的耐压受衬底/外延掺杂浓度，厚度，元胞设计，终端设计，表面钝化层材料多方面的影响。如果是从系统设计的角度来讲，需要尽量减少回路的杂散电感，优化驱动设计，尽量减小DS电压尖峰
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Q有没有高温驱动电路？
A 如果所用器件和PCB都是耐高温的话就可以，英飞凌的驱动芯片都是可以用在150度的
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Q如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能？
A请参考郑工PPT
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Q碳化硅(SiC)会是功率器件的终极选择吗?
A 没有最好 只有更好
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Q英飞凌碳化硅MOSFET短路耐受时间是多少？
A TO-247封装的器件短路耐受时间3us, 模块封装的器件短路耐受时间2us
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Q如何评估碳化硅MOSFET的可靠性？
A 由于碳化硅MOSFET属于新技术， 目前可靠性测试的国际标准还在讨论中。 可以参考： A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability, Siemieniec, EPE-2017
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Q如何提高碳化硅MOSFET器件电流密度？
A优化元胞设计，提高散热能力
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