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碳化硅MOSFET驱动及保护设计 2019-06-04 10:00:00
  • Q碳化硅MOSFET有什么优势

    A 来自于SIC材料的优势,更低的损耗,可以工作于更高的开关频率

  • QIGBT开关的在应用时的优点有哪些呢

    A 可以更明确的解释这个问题吗。我理解该问题是问IGBT的优势,作为一个成熟的产品,IGBT在设计中相对于SIC有更成熟的经验,目前的功率等级也可以做的更大

  • Q英飞凌碳化硅MOSFET的实际开关频率多少?

    A 需要根据实际应用来选择,考虑开关损耗造成的发热和应用的其他限制。目前从几十khz到上百hz都有设计。

  • Q英飞凌碳化硅MOSFET的最大工作电压多高?

    A 目前英飞凌量产推出了1200V电压等级的先导产品,更高电压等级的器件已经在研发中

  • Q门极误开通风险公式好像与计算对不上。应该是Cdg/Cgs?

    A Cdg/Cgs * Vds 是最简化、也是最差情况的指标。实际上会比这指标算出来的好得多。  

  • QSiC MOS管从性价比角度讲,适合在哪些应用条件下使用?

    A 基于目前SIC的成本,需要在系统层面去减少总成本;SIC目前在光伏,UPS、充电桩等等应用领域已经光伏应用。

  • Q英飞凌碳化硅MOSFET的输出功率可以达到多大?

    A不同的碳化硅Mos输出功率不一样,比如1200V,45mohm的管子,输出电流20-25A,600V-800V 

  • Q管子导通的波形怎样才是最好的?

    A 尽量无过冲,震荡等

  • Q碳化硅怎样才能提高工作效率?

    A频率更高,损耗更小

  • Q何为CMTI?

    A 共模瞬态抑制。

  • Q英飞凌碳化硅MOSFET的驱动有哪些保护方案?

    A请关注我们推出的评估板

  • QSiC MOS管和普通MOS管相比,都有哪些优缺点?

    A 普通MOS管主要限制在耐压方面。普通MOS管如果要提高耐压水平,需要使用更厚的硅片,那么就意味着RDSON大幅上升,从而损耗大幅上升。因此目前商用的SI MOS 最高电压大概是900V。而SIC MOS临界场强更高,这就意味着可以使用更薄的硅片来实现更高的耐压,同时RDSON也保持在较低的水平。

  • Q怎样才能减小回路带来的电感?

    A 一个是紧凑,一个是交叠

  • QSiC MOS管的驱动和普通MOS管的驱动有什么不同?可以直接替换吗?

    A替换需考虑到各种规格,基于碳化硅器件的高成本和性能,不推荐。

  • Q对于碳化硅器件的保护电路,贵司在器件资料中会提供相应的保护电路和电路布线参考吗

    A会的,请关注我们的评估板信息

  • Q开关频率对门极导通会不会带来影响?

    A 不会

  • Q门极电压和开关次数有什么关系?

    A 门极电压用得高一些,比如18V,对应可以多承受点开关次数而避免漂移

  • Qsic mosfet现在能量产了吗

    A 我们从6毫欧到45毫欧,从两电平到全桥,到ANPC,从单管到模块,都有量产产品。新的规格的产品也再陆续发布推向市场。6月26号上海的PCIM可以去参观我们的展台,了解更多信息

  • Q第三代半导体器件的代是怎么划分的,一二代是什么?

    A 第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的宽禁带半导体材料。第三代半导体材料的特点是带隙宽,更用于高压高频高温的应用

  • Q在什么情况下需要考虑温度对短路电流的影响呢

    A 高温时,由于基础温度高,如果这时短路,温度就必须考虑