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Q碳化硅MOSFET有什么优势
A 来自于SIC材料的优势，更低的损耗，可以工作于更高的开关频率
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QIGBT开关的在应用时的优点有哪些呢
A 可以更明确的解释这个问题吗。我理解该问题是问IGBT的优势，作为一个成熟的产品，IGBT在设计中相对于SIC有更成熟的经验，目前的功率等级也可以做的更大
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Q英飞凌碳化硅MOSFET的实际开关频率多少？
A 需要根据实际应用来选择，考虑开关损耗造成的发热和应用的其他限制。目前从几十khz到上百hz都有设计。
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Q英飞凌碳化硅MOSFET的最大工作电压多高？
A 目前英飞凌量产推出了1200V电压等级的先导产品，更高电压等级的器件已经在研发中
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Q门极误开通风险公式好像与计算对不上。应该是Cdg/Cgs？
A Cdg/Cgs * Vds 是最简化、也是最差情况的指标。实际上会比这指标算出来的好得多。
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QSiC MOS管从性价比角度讲，适合在哪些应用条件下使用？
A 基于目前SIC的成本，需要在系统层面去减少总成本；SIC目前在光伏，UPS、充电桩等等应用领域已经光伏应用。
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Q英飞凌碳化硅MOSFET的输出功率可以达到多大？
A不同的碳化硅Mos输出功率不一样，比如1200V，45mohm的管子，输出电流20-25A,600V-800V
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Q管子导通的波形怎样才是最好的？
A 尽量无过冲，震荡等
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Q碳化硅怎样才能提高工作效率？
A频率更高，损耗更小
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Q何为CMTI？
A 共模瞬态抑制。
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Q英飞凌碳化硅MOSFET的驱动有哪些保护方案？
A请关注我们推出的评估板
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QSiC MOS管和普通MOS管相比，都有哪些优缺点？
A 普通MOS管主要限制在耐压方面。普通MOS管如果要提高耐压水平，需要使用更厚的硅片，那么就意味着RDSON大幅上升，从而损耗大幅上升。因此目前商用的SI MOS 最高电压大概是900V。而SIC MOS临界场强更高，这就意味着可以使用更薄的硅片来实现更高的耐压，同时RDSON也保持在较低的水平。
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Q怎样才能减小回路带来的电感？
A 一个是紧凑，一个是交叠
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QSiC MOS管的驱动和普通MOS管的驱动有什么不同？可以直接替换吗？
A替换需考虑到各种规格，基于碳化硅器件的高成本和性能，不推荐。
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Q对于碳化硅器件的保护电路，贵司在器件资料中会提供相应的保护电路和电路布线参考吗
A会的，请关注我们的评估板信息
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Q开关频率对门极导通会不会带来影响？
A 不会
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Q门极电压和开关次数有什么关系？
A 门极电压用得高一些，比如18V，对应可以多承受点开关次数而避免漂移
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Qsic mosfet现在能量产了吗
A 我们从6毫欧到45毫欧，从两电平到全桥，到ANPC，从单管到模块，都有量产产品。新的规格的产品也再陆续发布推向市场。6月26号上海的PCIM可以去参观我们的展台，了解更多信息
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Q第三代半导体器件的代是怎么划分的，一二代是什么?
A 第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料，第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的宽禁带半导体材料。第三代半导体材料的特点是带隙宽，更用于高压高频高温的应用
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Q在什么情况下需要考虑温度对短路电流的影响呢
A 高温时，由于基础温度高，如果这时短路，温度就必须考虑
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