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Q可以提供此份資料給我嗎?n83114@gmail.com
A请登录到研讨会平台继续观看, xie xie
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Q安森美的门极驱动器有哪些具体的规格型号？
A 我们有全系列的产品，具体可以访问以下链接查询各个型号。 https://www.onsemi.com/PowerSolutions/parametrics/388/products
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Q牵引电动机变流器为什么要逆变？
A 变频控制驱动电机是提高电机效率与性能的方案，而逆变器就是提供变频控制的。
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Q车载充电技术发展趋势怎么样？
A未来的方案应该还是会从高效，高功率，高集成度，双向变换方向发展。
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Q车载充电机与非车载充电机之间有什么差别?输出方式有何不一样?
A 顾名思义，车载是放在车上的，非车载就是像充电桩这样的充电方案。两者在输出电压上没有特别大的差别，还是根据高压电池来，但是在充电电流，可靠性以及系统设计上很大差别。像一般来讲，车载充电器的功率主要是3.3kW,6.6kW,11kW.而充电站的充电功率就大的多，会超过上百千W。
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Q碳化硅二极管有哪些分类？有哪些关键参数？
A 主要还是通过 电压电流来进行分类，现在主流的是600V与1200V电压等级。在参数上，电压，电源，EAS等参数要重点考虑。
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Q你好，安森美的充电方案功率能达到多少W?
A 我们提供全系列的OBC半导体方案，包括分立的Si MOS，IGBT，SiC MOS, Diode,以及APM模块。功率可以符合像3.3kw,6.6kw,11kw这些主流应用。
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QIGBT在选择时主要关注哪些参数？
A除了基本的电压与电流以外，不同的应用场合对IGBT的要求也不一样。有些场合的开关频率高，这样的Eon/Eoff的参数就要关注，有些IGBT是用在电机驱动里的，这样，对短路耐受时间的要求就高，等 等 。
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QSIC MOSFET可以用在哪些场合？
A SiC MOS 作为一个新材料器件可以广泛应用在各种汽车电子、工业以及能源领域。
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Q安森美是否有电动汽车充电桩解决方案？
A 有的，安森美半导体提供了高性能的产品，为充电桩的设计提供强有力支持，包括SuperFET® III MOSFET、SiC diode、IGBT、隔离型门极驱动器、运算放大器、快恢复二极管。请到我们www.onsemi.cn
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Q电流检测在设计中如何确认用低边还是高边检测？
A这个要根据不同的需要与电路设计上来考良。低边设计更加简单，有时候可以直接用电阻进行测量。有高性能系统中，需要对每个IGBT进行电流监测，那样高、低边的驱动都成为必需了。
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Q采用门极控制是为了开关更安全彻底吗？
A 门极控制是现代电力电子器件的控制方式，像MOS管，IGBT这些常用的开关功率器件，门极控制是为了在高频下有效地保证器件的开通与关断。具体的，建议参一下开关器件的应用。
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Q讲的不错，虽然行业不同，但是能拓展不少知识面
A 谢谢! 更多信息在www.onsemi.cn
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