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提高 LED 照明应用的系统效率和可靠性 2015-04-23 10:00:00
  • Q现在工业LED照明领域存在的照度和空间的问题SuperFET II MOSFET是否对这些问题的解决有益?

    A 对,这是必然的。对有效率以及功率密度要求的场合,用SuperFET II MOSFET作用就可以体现出来。

  • Q大厦外面装饰的LED灯一般需要多少V耐压的MOSFET?

    A 不同的拓扑及应用选用的MOSFET不一样,要看用在哪里。

  • Q如何降低栅极的驱动损耗和导通损耗?

    AMOSFET本身的Qg就低,驱动损耗就低了。栅极的导通损耗很少,可以调节驱动电阻来改善。

  • QLED照明在智能家居中应用如何?

    A 可以通过无线调光调色来实现。

  • Q为什么LED寿命的衰减这么快?与理论值差那么多?

    A 1)所选LED本身寿命不够,LED的寿命取决于它的电流,电流越大,温度越高,寿命衰减越快。 2)驱动的设计不合理,如驱动输出有大的电流过冲和纹波电流,这样会加速降低LED的寿命。 3)驱动输出电流设计不合理。如LED标称为1A,那么我们设计LED驱动一般会选择1A输出,实际上,实践表明输出电流的70%对LED的光效以及寿命都是比较合理的。

  • QLED驱动产品选择时,最应该注意哪些参数?麻烦详细指导一下~

    A 一个好的LED驱动产品: 1) 满足基本规范以及客户要求。如PF,THD,输出电流有无过冲,电流精度,效率,安规,EMI. 2)功率密度高:通过选用高效率的拓扑以及功率器件,提升功率密度。 3)   成本低。 

  • Q这种LED 驱动MOSFET能否用在LED显示屏上?

    A 可以

  • Q您觉得LED在未来室内照明中的应用如何?

    A LED 照明固有的高流明,高效率,以及LED成本的进一步降低注定会使LED使用越来越广泛。政府对于节能的推动也会加速这一进程。

  • Q请问FCPF400N80Z已经量产了吗,供货周期是多少?

    A已经量产   供货周期:https://www.fairchildsemi.com.cn/products/discretes/fets/mosfets/FCPF400N80Z.html?keyword=FCPF400N80Z#product-availability

  • Q有电流大的MOSFET不?

    A 有的。可以去我们的官网上查找。www.fairchildsemi.com.cn

  • Q有没相关的成熟的应用设计方案?哪里可以下载相关资料?

    A 可以参考以下两个用SuperFET MOSFET的照明评估版: https://www.fairchildsemi.com.cn/evaluation-boards/febfl7733a_l52u050a.pdf https://www.fairchildsemi.com.cn/evaluation-boards/febfl7733a_l51u030a.pdf

  • Q这种超级结MOSFET主要用在LED驱动电源方面吗?

    A 通信电源, 光伏,ups,充电机等等需要高效率的电源都可以用得到。

  • QLED驱动MOSSFET关键因素主要看什么?

    A •击穿电压à电压裕量设计的灵活性 • 导通电阻 Rds(on) à效率 • 品质因数 (RDS(on) x Qg) à开关损耗à效率 • 输出电容 (Coss) à驱动损耗à效率 • 雪崩测试à可靠性 • 内置齐纳二极管àESD 保护 • 封装选择

  • Q你们这款800V SuperFET II MOSFET与业界同类产品相比,有哪些技术进步?

    A •800 V 的更高击穿电压à实现电压裕量设计的灵活性 • 最低的导通电阻 Rds(on) à降低了导通损耗à,提高了效率并且需要较小的 PCB 空间 • 卓越的品质因数 (RDS(on) x Qg) à减少开关损耗à,提高效率 • 最低的输出电容 (Coss) à减少驱动损耗à,提高效率 • 100% 经过雪崩测试à高可靠性 • 内置齐纳二极管à进行 ESD 保护 • 多种封装选择à多种热性能和机械设计选择

  • Q使用SuperFET II MOSFET会增加生产成本吗?

    ASuperFET II MOSFET生产成本和普通MOSFET没有什么不同,就是常用的封装。

  • Q此次推出的新品有哪些封装?

    Ahttps://www.fairchildsemi.com.cn/products/discretes/fets/mosfets/#rq=MOSFET_TECHNOLOGY=%22SuperFET%20II%22|MOSFET_BVDSS=%22800%22  TO-220F 3L (8)  TO-251 3L (IPAK) (4)  TO-252 3L (DPAK) (4)  TO-263 2L (D2PAK) (1)  

  • Q开关性能做了哪些优化?

    A 通过晶圆以及工艺技术,降低了MOSFET的驱动损耗;开关损耗Qgd以及输出容性损耗Coss。

  • Q如何提高电源的转换效率?

    A 这个问题很大,总体说来应该就是减少损耗(MOS管损耗,变压器损耗,整流管损耗等)

  • Q请问贵公司LED MOSFET 寿命能达到多少,不同产品差异是否很大?

    A LED 电源的寿命在于电解以及驱动的稳定性,LED本身的寿命。和MOSFET关系不是很大。

  • Qmosfet集成的好还是外置的好呢?

    A 各有各的好处,集成的成本低,内部已经有些MOS保护措施,外置的工程师可灵活配置,功率也可做高些