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Q用800V SuperFET II MOSFET成本会提高很多吗？
A 跟以前老的800V平面型工艺比，成本还会有所降低。
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QFCPF1300N80Z的效率高具体体现在哪些方面？
A 1）低的导通和开关损耗 2）低的容性输出损耗
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Q800V SuperFET 2 MOSFET通过什么技术 工艺降低损耗？
A 通过超级结，也就是沟道技术来降低导通和开关损耗。
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Q超级结技术具体是什么技术？
A 新的MOSFET工艺技术，用在高压大电流场合， Rdson比较低
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QLED照明未来发展的方向是？
A传统低流明的低效率的照明灯具会被LED取代；随着应用的推广，成本也会越来越低。这也会推动LED技术的进步，如流明数会进一步增大。
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Q超级结技术有哪些优势？
A 1）低的导通损耗 2） 低的开关损耗 3）高的品质因数
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Q目前都有那些应用案例？
A 可以参考以下两个用SuperFET MOSFET的照明评估版： https://www.fairchildsemi.com.cn/evaluation-boards/febfl7733a_l52u050a.pdf https://www.fairchildsemi.com.cn/evaluation-boards/febfl7733a_l51u030a.pdf
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Q高压电容故障时会有保护吗？
A对MOSFET来说，MOSFET会通过高耐雪崩能力来承受外部的高电压电流。
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Q哪些技术可以增强LED照明系统可靠性?
A •这个800 VSuperFET2 产品最大的特点是它能承受超过800V的更高击穿电压，这能帮助提供设计上电压裕量的灵活性 • 每一个mosfet都会在生产线作100%的雪崩测试。 它也有强健的体二极管，能提高在桥式电路的可靠度,與提供内置 ESD 保护
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QLED功能性照明取决于什么？
A 功率因数(PF) :家用>= 0.7 （>5W）, 商用>= 0.9 (>5W), >= 0.5 (<=5W) 总谐波失真(THD) :<25% THD >25W（越来越多客户要求<10%） 功效： 非调光驱动： >85% 可调光驱动： >80% 小型化，功率密度提升 调光性能 ： 无闪烁/微光问题, 新调光器接口
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Q为什么FCPF400N80Z的输入电容、输出电容、反向电容越低越好。
A1）输入电容影响驱动损耗 2）输出电容影响输出容性损耗 3）反向电容影响开关损耗 所以为了降低损耗，提高效率，就需要这些电容越小越好。
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Qled控制器效率达到多少？
A 以FCPF1300N80Z为例
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QFCPF1300N80Z在运行温度方面具有什么优势
A如ppt第26页显示：FCPF1300N80Z最高温度是66.6 度，比平面mosfet及A公司的超级结mosfet低了2度。
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QsuperFET II MOSFET是否可以应用在工业LED照明领域？
A当然可以
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Q设计LED驱动电源时，如何考虑散热问题呢？
A 1）选用合适拓扑 2）选用高效率功率元件
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QFCPF1300N80Z的前沿电流可以减30%，这样做的缺点具体都有什么？
A 前沿电流降低主要是因为MOSFET的Ciss降低了。
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Q现在市场上相同的LED灯，价格差距为什么会相差这么大呢？
A 一分钱一分货嘛
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QsuperFET II MOSFET是否可以应用在工业LED照明领域？
A 当然可以。
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Q提升LED驱动电源的效率都有什么？
A •降低的导通电阻 Rds(on) à降低了导通损耗à，提高了效率并且需要较小的 PCB 空间 • 卓越的品质因数 (RDS(on) x Qg) à减少开关损耗à，提高效率 • 最低的输出电容 (Coss) à减少驱动损耗à，提高效率
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Q我觉得LED的光衰问题很严重，LED光衰主要由什么原因原因引起的呢？
A 光衰主要有灯的质量不够好以及驱动不恰当（比如用恒压驱动）等造成。
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