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Q飞兆SJ MOSFET在照明镇流上的应用优势是什么？
A 跟普通的Mosfet相比可以降低损耗，提高效率，满足照明应用中苛刻的温度要求
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Q那么顺带咨询一下，仙童的普通PMOS产品有没有TO-92封装的呢？ 3ks
A sorry，不记得有，最好到我们网上再查一下，不好意思，来不及帮你查
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Q硅技术是怎样实现高效率？
A 通过降低Rdson Qg Coss来实现
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QSuperFET 2 Easy Drive的3个版本分别应用在哪些场合？
AE系列适用于开关速度不是特别开的场合；fast drive系统适合开关速度特别快，效率要求特别高的场合；F系列适用于谐振拓扑。
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Q使用超级结 MOSFET 可以降低产品成本吗？
A 在相同性能的前提下，可以适当降低成本
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QSuperFET 2 MOSFET为什么会有高效率的优势？
A它的内阻和Qg都较小，有效的降低了开关损耗。
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Q硅技术实现高功率密度的原理是什么？
A 利用超级结技术可以显著降低Rdson Qg Coss 来提高mosfet性能，从而达到提升功率密度
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Q好的RFI在实际应用中的好处是什么？
A 抱歉，不明白RFI的意思
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QSuperFET 2 MOSFET是怎样实现良好的鲁棒特性的？
A 很好的问题，不过不好意思，这是工艺和设计方面的专业问题超出我的回答能力。
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Q如果没有增加的齐纳二极管，那么快速开关是靠什么保护的？
A小电流mosfet需要加齐纳二极管 大电流mosfet由于本身晶圆尺寸大，具有抗ESD能力，所以不需要额外增加
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QSuperFET 2 快速版本达到低温度的原理是什么？
AMOSFET工作以后温度会升高，不会降低。
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QMOSFET应用的实际生产中了吗？
A Mosfet已经应用很广，各种开关电源都有应用
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QSuperFET 2 Easy Drive相比SuperFET 2 快速版本的优势是什么？
A较低的EMI噪声，驱动电路更稳定。
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Q88封装的散热有无隐患？
A 他的热阻很小的，散热支架直接接触PCB，散热要看PCB，具体问题好要具体分析。
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QSuperFET 2快速版本相比SuperFET 2 Easy Drive开关损耗降低的原因是什么？
A 开关速度更快，开通和关断的时候电流和电压交叉面积更小，损耗就更低
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Q低的Qrr有什么好处？
A 关断容易，损耗小。
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Q如何解决在启动状态、过载状况和并联工作时会发生严重的栅极振荡和高开关dv/dt？
A 通过内建的Rg可以有效降低门极震荡 外部layout尽量避免长路径的走线以减少寄生电感，走线不要并行以减少寄生电容
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Q开关损耗的降低是通过什么方法实现的？
A对于MOS来说就是减小Qg，特别是Qgd。
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Q如何平衡耐压与RDS(ON) 的关系的？
A 传统Mosfet中，耐压与Rds（on）是成指数型比例关系，所以耐压增加，要想做低Rds（on）很困难。我们的Super Junction技术就很好的解决了这个问题
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Q高di/dt和dv/dt会出现什么情况？
A高di/dt和dv/dt会带来较高的EMI噪声。
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