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Q使用新工艺的MOSFET的设计效率最高可达多少？
A具体效率要根据开关电源的规格来说，但是肯定比使用普通MOS的开关电源效率有很大的提升。
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Q都有哪些封装？
A 常用的封装都有：Dpak, TO-220, TO-220F, TO-247, D2pak, PQFN8*8, Ipak等
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Q超级结 MOSFET和普通的MOSFET有什么不同？
A 相同大小的晶圆，做成超级结的MOSFET比一般的MOS 导通电阻要小很多，当然工艺也复杂。
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Q这个器件RDS、总栅极电荷和品质因素可以降低多少？
A 可以参看报告中有详细介绍。与同类产品相比具有明显优势。
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Q器件的工作温度范围能做到多少？
A结温最高到150度。
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Q请问超级结MOSFET器件比传统的MOSFET器件有什么特点？
A在相同BVdss的前提下，Rds（on）可以做得更低，结电容可以做得更小。 总体的说可以降低损耗，提高整机效率，使电源的功率密度做的更高
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Q请问超级结MOSFET器件主要用在哪些地方？
A主要用在对效率有较高要求的电源上。
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Q效率最高可达多少？
A效率要根据开关电源的具体规范来看，但是比使用普通MOS的效率要高很多。
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Q请问能否用于医疗电源产品？
A请放心使用，谢谢！
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Q如何解决电磁干扰问题的？
A easy-drive系列通过门极集成电阻Rg来优化开关特性，从而降低EMI噪声
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Q有几种总封装方式？
A 常用的封装都有：Dpak, TO-220, TO-220F, TO-247, D2pak, PQFN8*8, Ipak等
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Q为什么采用新一代的superfetII mosfet设计有更好去避免emc问题？
A 它的开关特性比上一代的supremos要好很多，superfetii还有e系列对EMC也有很大好处。
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QAC/DC开关电源面临哪些挑战？
A功率密度，效率， EMI，可靠性。
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Q采用硅技术有什么优势？
A硅技术很成熟！
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Q如何提高稳定性的？
A不明觉历。
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Q什么是超级结技术？
A 超级结是Mosfet的内部结构，我们的演讲资料中有图示说明。 目的是降低Rds(on)和结电容，从而降低总损耗，提高效率
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Q控制器驱动和MOS是集成在一起的吗？
A 有集成的，也有分离的。
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Q请问极间电容有多大？
A不同的MOSFET，极间电容大小不一。 具体指标请查阅该MOSFET的规格书。
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Q可以通过哪些方法提高数据处理速度？
A今天介绍的是新一代超级结MOS，谢谢！
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Q采用超级结器件后的成本费用是否会大幅增高呢？
A跟普通MOS相比，成本会有提高，但带来的是效率，功率密度以及可靠性的提高。
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