主要介绍变压器的重要参数，变压器对EMC的影响以及伍尔特电子作为元器件制造商如何优化变压器设计。

在嵌入式系统的动态领域，对精确而高效的实时控制应用的需求正在不断增长。Microchip的dsPIC33A数字信号控制器（DSC）是应对这一发展的先驱，提供增强的性能、先进的外设以及强大的安全和保护功能。参加我们的在线研讨会，了解全新的dsPIC33A系列如何借助其32位CPU、双精度浮点单元（DP-FPU）和高速外设来满足现代应用（如电机控制、电力电子和传感器接口）的复杂需求。该系列不仅通过全面的生态系统简化开发，而且还为实时控制树立了新标准，确保了各个行业的精度、可靠性和创新。

本次演讲针对电源、车载充电机、UPS等应用市场分享AC输入端的过压和过流保护解决方案，包括器件的选型指南、应用方案的推荐等。有助于设计工程师在实际应用中兼顾安全、高效和可靠性的因素解决选型的难题，掌握最新器件的功能和特性，接触同行业中最卓越的解决方案。

本次培训主要是基于NXP CCC参考演示系统来介绍如何在车端和支持CCC数字钥匙协议的手机，NFC钥匙以及NFC卡片之间实现CCC数字钥匙配对和认证功能。恩智浦提供的硬件加密模块可以实现的车端数字钥匙的认证功能。

1、制造业测量应用的需求分析
2、制造业常用测量设备的选择
3、台式万用表和数据采集器的应用

电动汽车市场的蓬勃发展是SiC高速扩产的主要驱动力之一。安森美(onsemi) 深耕垂直整合链条“From powder to power ”（从小粉末到大能量）, 至2024年，在SiC衬底产能，裸芯片产品，封装产能，以及新产品开发领域，分别实现了10倍，12倍，4倍和3倍的增长。在SiC衬底、裸芯片、封装及新产品开发等方面取得了显著进展。SiC晶圆从150mm升级至200mm，工艺平台从M1六边形元胞结构演进到M3条形元胞结构，提高了性能并降低了成本。同时，创新的顶部散热封装提升了MOSFET的散热效果和功率密度。此外，安森美还在硅基IGBT技术上保持领先地位，新推出的深沟槽FS7 IGBT具有更低的饱和电压和开关损耗。对于MOSFET，公司正逐步量产采用T10工艺的新一代产品，进一步优化了芯片利用率和散热性能。总体而言，无论是基于硅还是碳化硅的功率模块，都在朝着更高效率、更小尺寸和更强散热能力的方向发展。

结合伍尔特电子新推出的基于wifi 802.11.b/g/n和蓝牙5.0版本的stephano-I模块，介绍该模块用到的无线通信技术和该模块的优势，认证等。

软件定义汽车，CoreRide, S32N, S32汽车处理平台

端侧设备上的AI能力需求越来越多，越来越高。针对当前端侧设备AI开发面临的诸多挑战，带来瑞萨电子端侧设备全栈AI解决方案和相关工具介绍。从简单易用的eAI translator进行自有AI模型转换与部署，到Reality AI tools 在瑞萨电子全系列MCU/MPU上进行高效，快捷的AI开发。同时，还将分享瑞萨电子MCU和MPU针对AI推理加速使用的特有硬件技术介绍。

在这次分享中，恩智浦i.MX产品系统工程部高级经理将会重点带来恩智浦最新汽车座舱及连接域控制应用处理器i.MX95的产品介绍，突出特点及其相关应用场景和目标市场。
同时还会介绍恩智浦在新能源汽车，汽车安全，边缘计算等领域的路线图以及恩智浦提供的汽车座舱域，连接域等丰富的处理器产品及其解决方案。重点强调恩智浦新产品在中央处理器算力，功耗，机器学习，视觉处理，信息安全，功能安全以及多媒体应用领域能给客户带来的产品升级和全新体验。

本次研讨会旨在介绍ADI最新的电能计量解决方案，包括以下内容：
（1）用于直流快充充电桩的新一代直流表
（2）用于交流充电的EV充电器
（3）用于电能计量的S级电能表芯片和配套软件算法库

于高转速实现高精度, 部署于快速移动机器人和工业机器人应用
现今工业应用中的运动控制要求可靠，准确和低成本的编码器方案，以提供精准的电机位置信息。 安森美(onsemi)凭借20 多年设计电感式传感器的专业经验，将电感式编码器的可靠优势与中高端光学编码器通常具有的高精度与高转速相结合，推出最新的电感式位置传感器接口NCS32100。器件集成微控制器(MCU)， "即插即用 "，能加快产品上市时间，实现更紧凑、更高效的设计。

当下，随着人工智能和云计算的需求持续增长，服务器电源需求激增。如何打造高性能高效率高可靠性的电源系统成为了关键。设计一款高性能电源主要取决于其控制器、功率器件和拓扑的选择，安世半导体作为全球功率半导体的领先供应商，在工业电源产品中能够提供一系列高性能的产品以及方案。
本次在线研讨会旨在分享安世半导体的功率器件产品如GaN HEMT，中低压MOSFET，电源控制芯片如反激控制器和同步整流控制器等产品。

在电动汽车、清洁能源和数据中心电源应用中，GaN 和 SiC 功率器件的市场份额在迅速提升。 ALLEGRO公司采用独特的Power-Thru技术，扩展高压电源产品组合，成功推出革命性的隔离式栅极驱动器，在单个小尺寸的封装中集成了隔离式栅极驱动器、隔离式电源和相关无源组件。 这大大降低了系统的设计时间和复杂性，使设计人员能够充分利用 WBG 开关提供的效率优势。

本次网上研讨会将探讨大功率 IGBT/SiC MOSFET器件并联设计的重要性以及实际应用中挑战及解决方法。我们将介绍功率器件并联设计的优势，包括降低传导损耗、提高效率和扩展电流容量，并解释为什么单个器件可能无法满足高电流需求，需要并联设计。而在并联设计的实际应用中，往往需面临均流不平衡和功率耗散不均衡等问题。我们将提供一些设计技巧以解决这些问题，并强调考虑热特性、交流输出负载电流等因素的重要性。透過通过本次研讨会，能够帮助设计工程师更好地理解功率器件并联设计，并提供实用的解决方案。