-
Q在使用时有什么注意事项么
A直接按照我们的应用资料介绍设计即可， 也可以参照Fairchild 设计好的demo Board 来做更改。
-
Q飞兆的反激式转换器的待机功耗是否达到了业界最低？
A不敢当~不敢当~
-
Q产品使用中有需要特别注意的
A正常使用无需特别注意，该产品已高度集成化
-
QTO220F 6脚的，还可以适用在以前的4个脚的产品中吗？
A它们的封装不同，您需要重新设计PCB。
-
Q为什么VDMOS耐雪崩能量会比其他产品高那么多？
AVDMOS制程主要用在高压器件上，而LDMOS制程主要用在低压器件，逻辑器件和内存上。 所以VDMOS耐雪崩能量会高许多。
-
QOSP具体流程是什么？
AFSL系列芯片OSP被触发必须要满足两个条件： 1. 反馈脚电压Vfb>1.2V 2. MOSFET导通时间Ton<1uS 当以上两个条件同时满足时，OSP就会被触发。
-
QVDMOS和LDMOS的主要区别是什么
A主要是耐雪崩能力不一样， VD Mosfet的垂直结构要好得多。
-
Q可以把FSL1x系列改进的方面简单总结一下吗？
A1， EMI采用随机频率抖动方式， EMI更好。 2， ESD防护能力更强， 到了5000V， 3， 待机功耗更小， 低于50mW。 4， 系列产品， 兼容好。
-
Q飞兆在工业领域主要推那个系列的？
AFSL整个系列都可以。650V， 700V， 800V Mosfet的都可选择。
-
Q如果器件发生故障 通常是哪方面的的问题
A电子器件发生故障，通常是过压或者过流引起的。
-
Q关于AOCP还是不明白，防止过高的di/dt，怎么实现的？不太明白
A次级整流二级管短路或者变压器原边短路会照成输入电流迅速异常增大（过高的di/dt)。 为防止这种异常增大的电流损坏MOS或其它器件，必须加以保护(AOSP)。 芯片内部的电流取样电阻上的电压会和一个参考电平做比较，一但电流异常增大，电阻上的电压会高于参考电平，触发AOSP。
-
Q关于AOCP还是不明白，防止过高的di/dt，怎么实现的？不太明白，请问能详细发文档，关于内部怎么实现的？文档里说是感测电容，可是演讲确实感测电阻...
A同OCP类似，不过是时间较短，检测到在较短时间内就达到预定值才保护
-
Q你们的飞兆产品不错，我一直在用，其他的就是on的，我尤其关注其最高和最低温度，能否做到低温零下60摄氏度左右，高温120摄氏度？如果那样就太好了。------------------是这样的，我以前的经验是有些产品号称能够做到零下45摄氏度，但是30都到不了，在某些地方，例如我国的漠河和冬季高海拔地区，有些设备根本开不了机。的采取其它的措施才能够工作起来。
A目前此系列标称温度为 -40～125
-
Q这个系列的设计应用有完整的文章可以阅读吗？
A请至官网参看 AN-4134 AN-4137 AN-4138
-
QFPS功率开关怎样解决pwm会跟着mos发热的问题？
A我们就是让PWM IC和Mos封装在一起来实现过温保护的
-
QESD防护能力有什么用，主要表现在？
A在做安规测试时表现会好， 在生产线上不易损坏。
-
Q变压器如何设计?能同时提供变压器吗?
A官网有在线设计及仿真工具，可供参考
-
QESD性能提高，是通过增加二极管和电阻，会不会影响其大小？
A不会，通过芯片设计来增加ESD可靠性
-
Q可以免费提供测试板吗
A可以， 直接联系我们的销售办事处或代理商都可以拿到。
-
QVDMOS相比LDMOS最大的优势是什么？
AVDMos有更强的耐冲击能力
- 1113召开 以48V电机驱动技术引领绿色创新
- 1030召开 交流/直流电源输入过流和过压保护选型指南