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Q2. 智能SIC栅极驱动器是否有与MCU的通信接口
AMicrochip提供开发套件，并且具有编程接口。在开发套件上具有和前端MCU的数字输入的接口，也有和MCU之间的监控接口，比如温度监控接口，高压监控接口等。
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Q3. SIC功率解决方案是否有针对个人实验室的应用实景方案
A个人实验室场景需要看是具体什么情景要求，一般来说是支持的。
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Q5. SIC是否已有成熟的成品可供选购
AMicrochip有一系列 大量的成熟SiC产品可供选购 具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QMicrochip SiC是如何提供样品测试
A具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QSIC mos的导通阻抗有多大？
A碳化硅MOSFET不同耐压有不同的导通阻抗，700V等级最小可以做到15mohm，1200V等级最小可以做到17mohm，1700V等级最小可以做到35mohm。具体可以登录官网查看对应的产品手册。
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Q使用该方案进行设计需要使用哪种设计软件？
A具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QSIC MOSFET的最低导通阻抗？
A碳化硅MOSFET不同耐压有不同的导通阻抗，700V等级最小可以做到15mohm，1200V等级最小可以做到17mohm，1700V等级最小可以做到35mohm，3.3kV等级最小可以做到25mohm。具体可以登录官网查看对应的产品手册。
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QSiC解决方案包含专用驱动部分吗？
A包含专用驱动 具体联系Microchip和相关合作伙伴
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QSiC功率解决方案支持多高的SiC工作电压？
A碳化硅功率器件目前分立器件最高支持3.3KV
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QSic器件在驱动和短路保护方面有什么需要注意的地方？
AMicrochip 碳化硅MOSFET驱动电压推荐+20V/-5V，另外碳化硅器件的短路能力没有IGBT那么强，在做短路保护的时候，需要快速反应，故障出现后至少要在3uS之内关断，避免出现热损坏。
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QSiC功率解决方案中驱动电路和一般MOSFET驱动电路设计有哪些区别？
A一般不同的厂家会给推荐驱动电压，针对Microchip的Sic MOSFET驱动电压，我们推荐是+20V/-5V.
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QSiC功率解决方案都集成了哪些电路部分？
AMicrochip提供SiC驱动 保护 控制等，甚至可以包含一整套整体SiC解决方案 一系列方案 具体联系Microchip和相关合作伙伴
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Q碳化硅器件用在车载逆变电源上需要特殊保护么？
A因为碳化硅器件的短路能力没有IGBT那么强，在做短路保护的时候，需要快速反应，故障出现后至少要在3uS之内关断，避免出现热损坏。
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Q可配置的数字控制快速优化主要包括哪些？
A主要是优化开关rise和fall time，以及平台时间及电压，通过优化可以改善电压应力，减小EMI。
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QSiC在长期工作后，哪些性能指标会明显降低（低于规范值80%）？
A一般的SiC MOSFET在长期工作情况下，驱动电压阈值和体二极管都会有比较明显的衰退。Microchip针对这些性能指标都做了大幅的的改善，防止出现性能衰退的情况。具体情况可以联系当地FAE或者相关合作伙伴。
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QSiC栅极驱动器，是用来驱动大功率场效应管的么？
AMicrochip碳化硅数字栅极驱动器一般是用来驱动碳化硅模块，主要应用在高压大功率场合。
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QSiC高温特性与低开关损耗对于未来的设计有多大影响？
A高温特性可以提升产品可靠性，低开关损耗可以使得开关频率得以提升，减小系统尺寸。
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QMicrochip SiC解决方案获得了哪些专利？
A具体联系Microchip和相关合作伙伴
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Q配置软件在哪下载？
A相关的配置软件可以到Microchip 官方的SiC 产品专页下载 https://www.microchip.com/en-us/products/power-management/silicon-carbide-sic-devices-and-power-modules/design-resources
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QSiC器件是否可以减小电路板体积？
A理论上是可以的，由于在高压情况下，碳化硅器件可以工作在更高工作频率，这样不管是EMI电路，磁性器件还是滤波电容，都可以使用更小尺寸的。
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