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Q控制端可以直接接单片机，驱动端接MOS功率管吗？
A谢谢您的提问。取决于MCU的具体驱动能力。一般我们推荐驱动光耦的输入侧电流在5-10mA范围。
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Q东芝智能栅极驱动光耦MOS管有几个型号,最大的电压和电流是多少？
A感谢您的提问。很抱歉，对于您的提问我不是十分理解，麻烦您将关心的问题及联系方式发送到邮箱TDES-Inquiry@ml.toshiba.co.jp，我们的工程师会稍后和您联络。
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Q如何选择合适的智能栅极驱动光耦产品？
A 谢谢您的提问。请根据性能、封装尺寸、成本等综合判断采用，可访问栅极驱动光耦 | 东芝半导体&存储产品中国官网 (toshiba-semicon-storage.com)了解产品规格书
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Q栅极驱动电压高低有哪些影响？高好还是低好？
A谢谢您的提问。一般高压MOSFET的驱动电压是10V, IGBT的驱动电压是15V。
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Q东芝智能栅极驱动光耦提高效率后，功率器件的温度会降低吗？
A 谢谢您的提问。功率器件的（表面温度）和功率器件的工作频率，环境温度，驱动电阻等因素有关。智能栅极驱动光耦主要起到系统保护功能。
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Q如何才能防止功率器件损坏？
A 谢谢您的提问。功率器件的损坏有多种因素导致（过压，过流，短路，过温等）。
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Q过流的状况下还要考虑哪些方面？
A"谢谢您的提问。具体可以参考东芝官网上TLP5124A的Application Note。 (相关链接地址：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.TLP5214A.html）"
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Q东芝智能栅极驱动光耦的温度适应范围是多少？
A谢谢您的提问。东芝智能栅极驱动光耦TLP52XX系列的温度适应范围是-40到110℃。
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Q栅极驱动器件应用对于成本和稳定性有何改善吗？
A 谢谢您的提问。单一功能的栅极驱动光耦相对会更便宜一点，智能栅极保护功能的驱动光耦价格会高一点。但是考虑到系统稳定性，可靠性，客户可以相应的选择不同类型的栅极驱动光耦。
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Q东芝方案目前有哪些成熟应用的行业？
A 谢谢您的提问。目前东芝的驱动光耦主要应用于工控行业，工业变频器、光伏逆变器、AC伺服器等。
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Q如何考虑环境湿度对光耦的影响？
A 谢谢您的提问。一般东芝光耦的湿敏度等级是level 1。
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Q珊极驱动光耦的速度是多少？
A 谢谢您的提问。从输入到LED的信号到输出到栅极的信号之间存在延迟时间。该延迟时间因产品而异，但对于TLP5214A，通常为85ns。
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Q栅极驱动光耦如何提高 EV的效率和可靠性？
A 谢谢您的提问。目前东芝还没有车规级的栅极驱动光耦，我们正在考虑用于绝缘栅极驱动器IC的汽车应用的智能栅极驱动器和单功能栅极驱动器。 我们目前无法回答发布计划，敬请谅解。
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Q东芝驱动功率器件有选型手册吗？
A 谢谢您的提问。有的，我们有专门的给予参考的选型手册，官网也有类似的选型内容。
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Q东芝智能栅极驱动光耦主要提现在哪些地方智能？
A"谢谢您的提问。智能栅极驱动光耦是常规栅极驱动光耦的智能变体，它在单一封装中包含了过流保护、米勒钳位和故障输出功能。 它结合了栅极驱动光耦、保护电路和高速逻辑输出光耦。"
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Q使用光耦传输驱动信号和使用电传输信号，有何区别和优缺点？
A谢谢您的提问。光耦作为光电隔离器件，能够实现信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无影响，响应速度快，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。
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Q过流检测电路有几种，哪一种比较好？
A 谢谢您的提问。有这几种方法可以检测功率器件的过流，电流互感器，电流采样电阻，Vce监测，其中Vce监测因二极管仅引起较小的功率损耗，相对便宜，而且允许高速电路操作，这种方法益处最大
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Q米勒钳位功能的门极驱动器不错，是软关断方式吧
A谢谢您的提问。米勒钳位功能是光耦器件持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极电压（VDS）或集电极-发射极电压（VCE）。内置的过流检测与保护功能可检测出功率器件中因过流导致的任何VDS或VCE上升，并执行软关断。
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Q有源米勒钳位功能是如何处理的？
A 谢谢您的提问。VCE(sat)检测电路负责监测IGBT的VCE(sat)电压，如果发现存在过电流的情况即执行光耦输出的软关断。同时向控制器发送故障信号。米勒钳位功能将抑制栅极电位升高和IGBT故障，即绕过IGBT经光耦内部关断接地时产生的米勒电流
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Q栅极驱动元件电压的耐压是多少伏？
A 谢谢您的提问。驱动光耦一般根据封装来划分。SO6 封装对应3750V绝缘电压，SO6L、DIP8 等封装对应5000V绝缘电压。Vcc一般在10~30V之间。
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