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QUSB PD充电器建议用哪种电源拓扑？
A 功率在65W以下建议用反激，大于65W建议用ACF
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QInnoSwitch3支持最大的电源输出功率？
A 看应用场景，场景不同，散热条件不同最大输出功率受影响。一般在充电器上，最大恒定功率约80W
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QInnoSwitch3外围器件至少要几个？
A 这个要看功率段，不用功率段整机物料数量不同。我自己比较过30W功率段，整机BOM约60个，比分立方案少十多个
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QInnoSwitch3产品出货量有多少？
A InnoSwitch3,InnoSwitch3-Pro目前10亿以上。
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Q基于PowiGaN的初级开关技术提升效率可以达到什么水平?
A基于QR控制的INNO3方案，最高效率可接近94%。基于ACF控制的INNO4，最高效率可接近95%
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Q小型化会带来哪些弊端？排解要点有哪些？
A 小型化要求提高开关频率，对温升与电磁兼容带来很大挑战。针对温升问题，要求提高系统效率，主要采用新型高效器件或拓扑，譬如氮化镓和有源钳位反激。EMI的解决思路与传统方案无差异，但需要花更多精力整改
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Q如何判断是否需要加散热片,标准是什么?贵司目前的指标是多少?
A IC的内部有OTP保护，大概是125度左右。按照不会进入OTP为标准进行判断是否需要加散热片。
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Q请问能做到多小的体积
A 这个要看功率段，主要看功率密度，而不是绝对体积。我们样机30W PCB尺寸约25x25
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QInnoSwitch3只能驱动GaN器件吗？
A 不是的，有MOS版本的与GaN版本的，看功率来定。可以参考我们的规格书。
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QInnoSwitch3 支持MCU控制输出多路电源吗？
A多绕组输出与普通反激方案类似，需要注意交叉调整率问题。单个INNO3只集成了一个SR驱动，其他绕组要注意设计下SR驱动。同时INNOSWITCH3可以支持多路电源并联方案，做多口输出
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QInnoSwitch3在设计电气性能、电路板的布局和体积方面有那些优势?
A在小功率段 INNOSWITCH3的效率相对较高，同时得益于集成度高，整机物料数少，布局相对简单，更有利于高功率密度设计
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Q为什么在高功率下才应用氮化镓器件?小功率的不适用吗?
A 主要看你的ID大小，若是高功率密度的设计，小功率也是可以选用的，例如某电商就是选用了GaN设计了18W与20W的PD电源。
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QInnoSwitch3可以用来设计数字电源吗
A 建议用我们的InnoSwitch3-Pro,这个是I2C接口的，可以直接接MCU。
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Q请问需要加额外的散热器么，如果全在满功率下
A 建议加U型散热片，注意用PVC片进行隔离。就像之前的旧款的电脑适配器一样的工艺。
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Q大功率充电须有哪些严格的散热要求？
A 功率器件要均匀分布，顶层与低层发热元件要错开摆放。
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Q这个采用的拓扑是什么的？
A 反激
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Q请问此芯片在设计上线路布线要注意那些
A 外围元件要靠近IC的pin脚，主回路要短。尤其是FWD脚，BPP脚，BPS脚与FB脚等。
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Q无需散热片的情况下实现100W的功率输出，电源温度可以稳定在什么水平？
A 若是电商的客户，25度环境温度的情况下，满足安规要求，IC的内部有OTP保护，一般是125度左右会保护。
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QUSB PD的最大功率可做到多少
A 根据实际情况，若没有PFC的情况下，建议做到65W左右。若有PFC的情况下，建议做到100W左右。
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Q请问钳位电路用那种最好RCD 还是瞬态二极管
A 根据经验，多数案例，RCD建议用慢管，Trr 1us以上
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