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Q使用分离MOS的主要设计思路是什么？
AMOSFET主要考虑耐压与工作电流，以及整机对于效率的要求来决定开关频率与Rdson等的参数选择，热阻可以作为散热器选型的参考
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Q为什么功率大的，要使用模块更好？
A模块对于均流与散热都更好，通过模块内部芯片的并联能有效提高产品性能
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QMOS做开关的时候 我怎么保证它工作在哪个区域？
A驱动电压直接决定其工作状态，不同驱动电压有对应的Rdson，规格书里面都有标注，建议电压不要太低
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QLittelfuse的保险丝一般过波峰焊的温度要求是？
A260C+/-5C
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QMOSFET的选型需要关注哪些参数？
A功率器件的选型都差不多，看电压电流以及封装需求，MOSFET电流参数通常关注Rdson，直接影响其导通损耗。
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QLittelfuse的80mΩ和160mΩ的SIC MOSFET的驱动电平范围是多少？
A建议驱动电压在+18V，负压-3~-5V
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Q有时候搞不清一个问题，我用的芯片驱动外部的MOS做开关用，但是我怎么确定这个芯片的输出给MOS gate端的驱动电压，正好使MOS工作在 想要的工作区域呢？
A一般要保持在10V 以上
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QMOSFET作为开关使用，开关频率最大到多少？
A1~2MHz
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Q用在pfc上的升压电路，Littlefuse的Sic MOS管驱动需要负压关断吗？
A需要， -3V 即可
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Q保护器件，如避雷管TVS等，如何选择才能起到多次保护电源的作用？
ATVS 是半导体技术， 只要选型（浪涌） 合理， 就可以起到多次保护的作用（没有衰减）。
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Q您好，我想详细问一下这个MOS做开关的时候到底是工作在哪个区域呢？恒流区吗 还是可变电阻区？
A一般工作在 可变电阻区 和 关断区
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Q大功率的MOS最高能承受多大的电流？我该怎么考虑设计时的上限值呢
A电流大小主要看器件封装以及所对应的电压，最终折算下来都是跟损耗相关的，损耗对应发热，MOSFET结点温度通常150度
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Q你好 比如说 不同规格的MOS能承受不同的电流值，最大规格电流能承受多少呢？
A这个不好说，看晶圆大小，几A 到几百A 。。。如果晶圆并联的话（模块），可以更大。
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Q可靠性设计的要点是什么？
A足够的余量的功率器件设计应对surge V/I , 足够好的PCB 设计， 足够好的保护方案。。。后期需要适合的验证，老化 实验。
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