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Q英飞凌产品在UPS应用中的主要优势体现在哪些方面?
A 高效，产品丰富
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Q最新的芯片技术IGBT7,这里的新技术带来了哪些性能的提升，产品的成本会上升吗
A 效率提升，结温提升，成本降低了
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QCoolSiC MOSFET的驱动有特别要求吗？可以使用别家的驱动IC吗？谢谢
A 有一定要求，比如共模抑制比，比如信号延时后的一致性，最好选用英飞凌的隔离型驱动
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Q英飞凌第五代的COOLSICTM主要提升了哪些方面的性能?
A 你指的第五代CoolSiC，应该是我们的二极管产品，在Webinar介绍的第10页，有详细的介绍，和上一代相比，导通压降低了20%以上，抗冲击电流能力大大提升，从原来的5倍，提升到现在的14倍
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Q英飞凌产品会经常强调不同封装形式，不同的封闭除了散热外，还会有哪些指标的改善，谢谢
A 不同封装有不同的优点， 有的是散热有优势，比如TO247-Plus， D2PAK, 有的是帮助减少生产时间和成本，比如Advanced Isolation
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Q为UPS选择MOSFET，主要需要考虑哪些因素以及相应的指标？谢谢
A 选择SiC MOS，主要动因在高效，需要看是不是能达成当初设定的高效率目标，以及在什么样的开关频率下能达成这样的效率
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Q如何有效降低UPS的开关损耗并兼顾EMI？CoolSiC更具竞争力吗？谢谢
A 三电平方案是很好的选择，有效的降低开关损耗，兼顾EMI，主要是控制开通过程的速度，尤其是在轻载情况下，适当加大驱动门极电阻是有效的办法。CoolSiC很有竞争力，尤其是效率方面。
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Q英飞凌产品在UPS上的市场份额大吗?会有像汽车产品一样稳定可靠的成熟方案?
A 英飞凌产品在UPS上的市场份额在35-40%左右，占比极高， 有相当成熟的方案可供参考。
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Q碳化硅MOSFET比硅IGBT更适合用在UPS中吗？有哪些明显优势？谢谢
A 不能简单的说SiC MOSFET比硅IGBT更适合用在UPS上，主要看设计者想要达到什么样的性能指标，SiC最明显的优势就是效率高，当然也贵得多，这就要看，终端客户愿不愿意为更高的效率买单了。
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