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英飞凌产品在UPS中的应用和特点 2019-07-24 10:00:00
  • QSiC器件的寿命性能是否优于Si?

    ASiC的热稳定性优于Si,

  • QIGBT内部有保护措施吗?如:短路、开路、高温保护措施及诊断等

    A IGBT 单管基板没有保护措施,需要额外加带短路保护能力的驱动IC。 IGBT 模块内都有NTC,可以起到过温保护的功能,有的IGBT 模块还内置shunt resistor,可以起到过流,电流侦测功能。

  • Q有没有低功耗低内阻的MOS管,型号是多少

    A您要应用在什么区块,什么电压等级,我们官网上面都可以查询到

  • Q英飞凌方案的每单格蓄电池功效多少?最多支持多少个并联?

    A 这个要根据电池容量来定。理论上来讲,英飞凌可以提供高至兆W的电池充放电解决方案。

  • Q最大单体电流可达40A,什么情况会导致40A,会不会有超标现象?

    A40A是标称电流,设定壳温100度的情况下标定的

  • Q第五代肖特基二极管的优势是不是主要因为材质?

    ASiC 材料特有的性质,决定了SiC Diode 的低导通压降。 英飞凌SiC 肖特基二极管还有耐冲击电流高的特性,这个是英飞凌技术决定的。

  • Q如何在保证电池高效的情况下很好的控制电池发热情况?

    A保证电池不要瞬时输出大功率

  • Q升级版晶闸管性价比如何,有哪些技术优势

    A主要是结构变简单了,成本压缩了,不必要的性能去掉了。

  • Q最新产品助力UPS的效率能提升到多少?

    ASiC MOS的效率最高,最高能达到98%以上的系统效率

  • Q开孔和卡口压接式有没有损耗现象出现?

    A卡口工具合适,不会有有任何影响

  • Q封装形式和效率提高有没有影响?

    A好的封装对效率提升有帮助,比如4引脚,比如D2PAK,都对效率提升有帮助

  • Q在50%负载下连续运行5年碳化硅产品成本和电费损耗是不是在所有的设计中都会合算?

    A 这是我们假设的一个保守的运行状况,来计算在生命周期内的电量损耗,依次来对比SiC的价值。

  • Q晶闸管的封装有哪些?

    A 有多种封装,基本是按照尺寸来分的,最小20mm, 34mm, 50mm, 60mm, 70mm等等,再往上就是圆饼的封装了。

  • QTO-247有绝热导电层,外部还需要散热措施设计吗?

    A 绝缘导热层是为了节省生产时间,降低热阻,外面还需要散热措施,例如带风冷或者水冷的散热器

  • Q电压不稳对英飞凌的UPS方案影响大吗

    A这个是一个系统问题,针对电压不稳的情况,是系统算法需要考虑的问题,比如三相不平衡,低压,或者高压等等,对功率半导体当然有一定的影响,需要设计者充分考虑这一点,尤其是高压的时候

  • Q多模块并联如何平衡各模块的均衡输出?

    A 对称设计,在选择模块的时候,也要了解一下模块内部芯片的布局,尽量做到对称

  • Q最小功耗的UPS方案是什么

    A 用SiC MOS方案功耗最小,效率最高

  • Q请问ups的瞬时功率能达到多少

    A 按照过载要求来,一般是150%@1分钟

  • Q在超负荷运行状态下 能坚持多长时间呢

    A 这个问题太开放了,无法回答

  • Q共E极封装的具体尺寸?

    A 是标准的62mm封装