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QSiC器件的寿命性能是否优于Si？
ASiC的热稳定性优于Si，
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QIGBT内部有保护措施吗？如：短路、开路、高温保护措施及诊断等
A IGBT 单管基板没有保护措施，需要额外加带短路保护能力的驱动IC。 IGBT 模块内都有NTC，可以起到过温保护的功能，有的IGBT 模块还内置shunt resistor，可以起到过流，电流侦测功能。
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Q有没有低功耗低内阻的MOS管，型号是多少
A您要应用在什么区块，什么电压等级，我们官网上面都可以查询到
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Q英飞凌方案的每单格蓄电池功效多少？最多支持多少个并联？
A 这个要根据电池容量来定。理论上来讲，英飞凌可以提供高至兆W的电池充放电解决方案。
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Q最大单体电流可达40A，什么情况会导致40A，会不会有超标现象？
A40A是标称电流，设定壳温100度的情况下标定的
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Q第五代肖特基二极管的优势是不是主要因为材质？
ASiC 材料特有的性质，决定了SiC Diode 的低导通压降。 英飞凌SiC 肖特基二极管还有耐冲击电流高的特性，这个是英飞凌技术决定的。
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Q如何在保证电池高效的情况下很好的控制电池发热情况？
A保证电池不要瞬时输出大功率
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Q升级版晶闸管性价比如何，有哪些技术优势
A主要是结构变简单了，成本压缩了，不必要的性能去掉了。
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Q最新产品助力UPS的效率能提升到多少？
ASiC MOS的效率最高，最高能达到98%以上的系统效率
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Q开孔和卡口压接式有没有损耗现象出现？
A卡口工具合适，不会有有任何影响
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Q封装形式和效率提高有没有影响？
A好的封装对效率提升有帮助，比如4引脚，比如D2PAK，都对效率提升有帮助
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Q在50%负载下连续运行5年碳化硅产品成本和电费损耗是不是在所有的设计中都会合算？
A 这是我们假设的一个保守的运行状况，来计算在生命周期内的电量损耗，依次来对比SiC的价值。
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Q晶闸管的封装有哪些？
A 有多种封装，基本是按照尺寸来分的，最小20mm, 34mm, 50mm, 60mm, 70mm等等，再往上就是圆饼的封装了。
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QTO-247有绝热导电层，外部还需要散热措施设计吗？
A 绝缘导热层是为了节省生产时间，降低热阻，外面还需要散热措施，例如带风冷或者水冷的散热器
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Q电压不稳对英飞凌的UPS方案影响大吗
A这个是一个系统问题，针对电压不稳的情况，是系统算法需要考虑的问题，比如三相不平衡，低压，或者高压等等，对功率半导体当然有一定的影响，需要设计者充分考虑这一点，尤其是高压的时候
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Q多模块并联如何平衡各模块的均衡输出？
A 对称设计，在选择模块的时候，也要了解一下模块内部芯片的布局，尽量做到对称
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Q最小功耗的UPS方案是什么
A 用SiC MOS方案功耗最小，效率最高
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Q请问ups的瞬时功率能达到多少
A 按照过载要求来，一般是150%@1分钟
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Q在超负荷运行状态下 能坚持多长时间呢
A 这个问题太开放了，无法回答
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Q共E极封装的具体尺寸？
A 是标准的62mm封装
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