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QF7系列有哪些规格的封装？
A插件封装有TO220，TO220F，TO247；贴片封装有TO252，TO263，Powerflat5*6，3.3*3.3，2*2， FLpack5*6等
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Q低压MOSFET是采用什么工艺制造的呢？
A低压Mosfet一般有种工艺，一种是平面工艺，一种是沟槽工艺，ST现有的第六代和第七代产品是沟槽工艺。
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Q低压MOSFET工作电压范围是多少？
AST 的F7系列目前提供了工作电压范围40V-100V的产品。
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Q低压MOSFET是如何体现其低导通阻抗的？
AMosfet的内阻主要来源于封装，通道，场效应区，外延层几个方面。通过工艺的提升主要是降低通道的内阻，改进封装来降低来自封装上面的阻抗。
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Q碳化硅等新材料这几年很'流行',ST有这方面的产品吗?
A事实上目前的无人机基本都是使用低压Mosfet作为BLDC的驱动部分，只是有些小功率是把Mosfet内置在驱动IC里面了。
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Q第一次知道st有mos管 那么它的特点或者说优势是什么呢
A那后面可以多多关注ST的分立器件，ST的Mosfet应用广泛，产品规格是比较丰富的，覆盖了从30V-1700V的不同电流等级的产品，除了工业级器件以外，还有汽车级器件。
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Q低压mosfet的最大耐流能力是通过什么决定的？
A最大耐流是基于内阻，热阻，最大耗散功率计算得出，有时封装的耐流能力小于晶元的耐流能力，规格书上会有注明。
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Qst的mos管是用在大功率电路还是小功率电路上呢
A这取决于具体规格的大小，一般来说，ST的Mosfet在大功率电路上更有优势。
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Q目前可以通过何种渠道进行购买呢
A可以通过ST的代理购买，代理的联系方式ST的官网上可以查询。
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Q低压MOS管的性能提升都有那些方面？
A提升的方面包括：内阻，结电容，体二极管，结温。
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Q低压MOS的EMI特性都有那些提升？
A提升EMI特性，主要是通过优化Mosfet的寄生电容，一般情况下Crss/Ciss值越低，变化率越小，对EMI特性越有帮助。
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Q有无应用局限？
AMosfet的应用局限在于应用电压是否超过器件的最高耐压，工作是产生的热量是否已经超过散出的热量。
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Q可以接受3.3、5V或12V供电吗
A如果是3.3V,5V驱动电压，需要选择带逻辑电平的LV Mosfet，这表示开启门槛电压较低。ST有这一类产品。
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Q低压MOSFET在小型无人机上应用前景怎样？
A事实上目前的无人机基本都是使用低压Mosfet作为BLDC的驱动部分，只是有些小功率是把Mosfet内置在驱动IC里面了。
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QST有SiC MOS管吗？
A有的，ST 的SiC Mosfet已经发展到第二代的产品，另外ST SiC器件还包括SiC Diode。
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Q第八代又将会是哪个全新的定位呢？
A第八代能在现有的应用中进一步为高效率和小尺寸做出贡献，另一方面可以应用到大于500Khz的高频率的应用上，
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QST第八代低压MOSFET工艺还在开发中么？
A是的，预计明年会有一些八代的型号出来。
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Q请问第7代MOSFET是和第6代一样的工艺吗？沟槽工艺？
A第七代和第6代都是沟槽工艺，但有些不同，第六代是单栅沟槽，第七代是双氧栅沟槽
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QF7有低于35V的吗？
AF7的最低电压产品是40V，我们第六代产品H6就有30V耐压的
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QF7的最小封装是多大？有2*2的吗？
A有的，F7在一些规格有提供Powerflat2*2封装。
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