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QIGBT开通的时候有米勒效应吗？一直只听说MOSFET有米勒效应，似乎没怎么听说IGBT有米勒效应
A有的，而且也比较明显，建议看看波形
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Q请问一般什么原因可导致IGBT击穿问题？
AESD 过压 过流 温升过高
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Q逆导型IGBT这种结构是否会导致各更换不易？
A封装为标准TO-247 和其他IGBT没有区别
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Q这种ＩＧＢＴ是否可以直接替换原来的ＩＧＢＴ？
A通常来说是可以的 建议试验验证
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Q如何避免保护ＩＧＢＴ温度过高？
A关键是控制总的损耗，比如驱动要优化以及功率回路的布局要更加紧凑
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Q请问这款ＩＧＢＴ的封装是？
A标准TO-247
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Q这款ＩＧＢＴ的最高工作频率可以达到多少？
A1200V 30KHz, 650V 40KHz
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Q这款ＩＧＢＴ如何优化开关损耗的？开关损耗又能达到多少？
A器件优化设计实现的，具体参数请参考规格书
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QRC-H5系列产品都已经量产了吗？
A现已推出1200V和1350V 20A, 650V 20A 40A 50A, 后续将推出更高电压等级和更多电流等级的产品
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QRC-H5跟RC-H3相比，价格有什么变化？
ARC-H5是最新一代针对感应加热的明星产品，可提高整个系统的可靠性及能效，价格相对RC-H3略高。
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Q英飞凌有哪些IGBT产品？
A我们目前的系列有K系列，H3系列，H5系列，以及RC系列，不同系列适应不同的开关频率，以及不同应用需求
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Q请问这种逆导型的ＩＧＢＴ为何不能用在其他领域比如ＵＰＳ，汽车等领域？
A不能用在硬开关场合，如果您的应用是软开关的话是没问题的
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Q英飞凌的IGBT是如何优化饱和压降的？
A器件设计优化出来的
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Q请问这款ibgt在饱和压降方面有什么优化？
A现已推出1200V和1350V 20A, 650V 20A 40A 50A, 后续将推出更高电压等级和更多电流等级的产品
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Q有没有低压大功率的IGBT？
A英飞凌低压IGBT 650V/600V 电流最大可达120A
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Q减少匝数可以降低成本，RCh5替代RCH3总的成本可以降低吗？
A如果减少匝数当然是可以降低总成本的
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Q请问半桥电路的ＩＧＢＴ与准谐振电路结构IGBT有何区别？
A一个是硬开关，需要很好的反并联二极管 一个是软开关，对二极管要求不高
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Q请问内置二极管有什么好处？
A成本降低
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Q请问这种逆导型的ＩＧＢＴ为何不能用在其他领域比如ＵＰＳ，汽车等领域？
A适用场合取决于电路特性，如果是硬开关就不可以用，软开通是没有问题的。
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Q请问这款ibgt在饱和压降方面有什么优化？
A现已推出1200V和1350V 20A, 650V 20A 40A 50A, 后续将推出更高电压等级和更多电流等级的产品
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