-
Q这项技术最大能提供多少电流？
A11A
-
Q什么因素影响8kv保护器件的保护能力？
AESD保护器件的选择和PCB layout
-
Q崩溃电压是怎样影响片外保护能力的？
ATVS崩溃电压越低以及开启电阻越小，则保护能力越好。但是崩溃电压过于接近倍保护IC的工作电压，则漏流越大。
-
Q不干净的电源有什么特点？使用有什么危害？
A有很多的尖峰和纹波干扰，对后面的系统造成不稳定
-
Q反接保护的作用是什么？
A就是保护电路免受反接的电源的损坏。
-
Q开启电阻在片外保护能力上的工作原理是什么？
A若TVS开启电阻越大，则ESD电流进入时TVS管的跨压会随着电流增加而迅速增大，若该跨压超过下游IC脚位的崩溃电压，IC则烧毁。因此越小的开启电流可确保IC脚位的跨压较低，ESD或浪涌电流大部分由片外保护吸收。
-
Q增加瞬态抑制能力的措施有哪些？谢谢
A选择适当的TVS的breakdown电压
-
Q现在数据线连接移动设备的一端大都采用区别设计，以防正负极接反，是否还需要反接保护？谢谢！
A这得看你的应用。你区别设计了，可是很多通用厂商搞一个桶状接口（内正外负或内负外正的圆柱状的电源插头），那插到那个移动设备上就有可能电压反了。
-
Q请问，使用保护器件后设计出来的产品，是否还需要进行一些测试？都需要测试哪些项目？
A产品的测试主要是依据这个产品的企业标准或行业标准，所以具体的测试项目和指标需要根据标准来定
-
Q如何减轻反响极性和负瞬变导致的损坏？
A用我们的防反接保护IC和ESD器件就可以
-
Q现在的过电压保护额定值是多少？
A看不同的标准，如一般手机充电器输入的OVP保护电压是6.2V
-
Q如何提高信号完整性的？
A减少负载电容，良好的PCB layout
-
Q市场上有带自保护（过载、短路）电源芯片（DC/DC或LDO）等功能吗？可否推荐几款？谢谢
A我们公司的电源产品很多都带有过载和短路保护。请登录Fairchild网站，根据具体应用需求搜索相关产品，谢谢！
-
Q为什么更高的电容能提升片外保护能力？
A更高的电容在字面下部分的意义则是更大的芯片（更严谨来说是PN junction）尺寸，越大的芯片尺寸则保护能力越好。另一方面，光是增加电容值就有增加吸收瞬间浪涌或尖峰能量的效果。
-
Q全新FR产品线有什么突出优势？
A低的导通电阻和小的size
-
Q产品的功耗如何，散热性能呢？
APd 是0.9-2.4W,封装是MLP的，热阻60度/W,详细见datasheet
-
Q系统设计怎样影响ESD能量在IC和外部保护器件之间分配的？
A会影响ESD能量的分配的因素包括 1. IC内部ESD元件/电路的设计，崩溃和触发电压开启电阻，2.片外ESD/ TVS崩溃电压和开启电阻 3. PCB的布线，包括寄生电阻电感和电容等
-
Q怎么判断电源保护器的好坏？
A您好，请参考其规格书，测试输出是否正常。谢谢！
-
Q主要讲到过压保护，是否过流保护？
A您好，TVS主要防止静电和浪涌。我们也有专业的过流保护产品，详情请参见公司网站。谢谢！
-
Q能否提供样品？谢谢
A可以的。请留一下地址和联系方式，我们的FAE会与您联系。
- 0425召开 采用革命性的栅极驱动器技术简化并加速高功率 GaN 和 SiC 系统的实现
- 0306召开 适合物联网和可穿戴设备的“小型锂离子二次电池”