大功率 IGBT/SiC MOSFET并联设计技巧和指南

本次网上研讨会将探讨大功率 IGBT/SiC MOSFET器件并联设计的重要性以及实际应用中挑战及解决方法。我们将介绍功率器件并联设计的优势，包括降低传导损耗、提高效率和扩展电流容量，并解释为什么单个器件可能无法满足高电流需求，需要并联设计。而在并联设计的实际应用中，往往需面临均流不平衡和功率耗散不均衡等问题。我们将提供一些设计技巧以解决这些问题，并强调考虑热特性、交流输出负载电流等因素的重要性。透過通过本次研讨会，能够帮助设计工程师更好地理解功率器件并联设计，并提供实用的解决方案。