大功率 IGBT/SiC MOSFET并联设计技巧和指南

时间: 2024-04-18 10:00:00 (6天前)
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会议介绍

本次网上研讨会将探讨大功率 IGBT/SiC MOSFET器件并联设计的重要性以及实际应用中挑战及解决方法。我们将介绍功率器件并联设计的优势,包括降低传导损耗、提高效率和扩展电流容量,并解释为什么单个器件可能无法满足高电流需求,需要并联设计。而在并联设计的实际应用中,往往需面临均流不平衡和功率耗散不均衡等问题。我们将提供一些设计技巧以解决这些问题,并强调考虑热特性、交流输出负载电流等因素的重要性。透過通过本次研讨会,能够帮助设计工程师更好地理解功率器件并联设计,并提供实用的解决方案。

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安森美(onsemi, 纳斯达克股票代号:ON)致力推动颠覆性创新,打造更美好的未来。公司关注汽车和工业终端市场的大趋势,加速推动汽车功能电子化和汽车安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等细分领域的变革创新。安森美提供高度差异化的创新产品组合以及智能电源和智能感知技术,以解决全球最复杂的挑战,引领创造更安全、更清洁、更智能的世界。安森美位列《财富》美国500强,也被纳入纳斯达克100指数和标普500指数。了解更多关于安森美的信息,请访问:https://www.onsemi.cn


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    吴圣
    吴圣,安森美现场应用工程师
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