汽车电源方案促进EV革新

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    各位听众,大家好!感谢大家参加本次在线研讨会!本次会议时间为:10:00-12:00,现在,有多位专家正在线回答您的问题。大家也可以到论坛里参与会议,有效提问即可打赏。

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    汽车用器件主要材料是SiC吗?

    2024-09-19
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    SiC目前还是针对OBC/DCDC/Traction等功率应用,其他应用还是以Si为主。

    2024-09-19
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    对于越来越大的功率等级,安森美是怎样解决安全问题的?

    2024-09-19
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    你好,针对有些预驱,电源,马达驱动等芯片,根据不同应用,我们有集成ASlLB to ASILD的功能安全。

    2024-09-19
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    安森美在“From powder to power”垂直整合模式中,具体采用了哪些先进技术来确保SiC材料从粉末到最终产品的品质一致性?

    2024-09-19
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    主要还是全流程的有效管控,以及长期积累的在功率半导体生产智造方面的经验。

    2024-09-19
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    M3条形元胞结构相比M1六边形元胞结构,在哪些方面显著提升了SiC器件的性能?其内部机制是怎样的?

    2024-09-19
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    两者的主要差距还是晶元有效面积利用率,进而影响FOM,当然对于其他特性也有影响。

    2024-09-19
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    安森美的SiC封装技术如何实现高效的热管理,以满足电动汽车市场对高功率密度的需求?

    2024-09-19
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    针对分离MOS,我司有做顶部散热封装,以有效减少热回路热阻。针对模块产品,我们有做SSC等封装。

    2024-09-19
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    SiC器件的成本降低策略中,除了晶圆尺寸升级和工艺改进外,还有哪些其他重要因素?

    2024-09-19
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    晶棒,外延等各个环节的垂直整合。

    2024-09-19
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    在SiC衬底生长过程中,如何精确控制晶体的生长速率和纯度,以确保最终产品的性能?

    2024-09-19
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    还是要精确管控衬底生长过程中各种工艺参数。

    2024-09-19
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    安森美在SiC产品研发中,如何平衡性能提升与成本控制的矛盾?

    2024-09-19
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    主要还是不断提升我们的工艺迭代,以达到性价比最优。

    2024-09-19
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    SiC器件在高频应用中面临的挑战有哪些?安森美采取了哪些措施来增强高频稳定性?

    2024-09-19
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    高开关速度,必然产生高di/dt,dv/dt带来的各种问题。我们主要还是根据不同应用,优化相应寄生参数。

    2024-09-19
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    SiC功率模块在电磁干扰(EMI)抑制方面有哪些特殊设计?

    2024-09-19
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    减少封装寄生电感,优化SIC晶元的寄生参数。

    2024-09-19
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    SiC晶圆在生产过程中,如何减少晶体缺陷并提升晶体质量?

    2024-09-19
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    主要还是要控制母晶&在结晶过程中,有效控制结晶路的各种参数,以减少晶体缺陷。

    2024-09-19
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    SiC晶圆从150mm升级至200mm,面临哪些改变?

    2024-09-19
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    主要是wafer 尺寸,产线设备,mask等相应变更。

    2024-09-19
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    更小尺寸的碳化硅的功率模块的散热怎么解决?

    2024-09-19
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    通过结构优化&损耗的优化。

    2024-09-19
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    针对电动汽车的不同应用场景(如快充、驱动电机等),安森美如何定制化开发SiC功率模块?

    2024-09-19
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    onsemi 为空调压缩机, OBC, Traction市场,开发 定制 适合各个应用单元的模块产品

    2024-09-19
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    如何评估SiC功率模块在电动汽车系统中的热平衡表现,并进行优化设计?

    2024-09-19
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    一般sic模块里面有集成ntc电阻,可以根据内部温度来优化。

    2024-09-19
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    在SiC产品的失效分析中,采用了哪些高级分析技术来快速定位问题原因?

    2024-09-19
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    失效分析会根据故障现象,依次做电气分析,x ray分析,抛片分析并放大后定位故障点,根据内部layout详细推断故障发生的可能性,现场技术人员会根据内部报告进一步现场做verify.

    2024-09-19
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    SiC器件在高温环境下的长期稳定性测试是如何进行的?有哪些关键测试指标?

    2024-09-19
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    我们会做温度循环&功率循环试验。

    2024-09-19
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    SiC MOSFET与硅基IGBT在驱动电路设计上有何不同?安森美提供了哪些设计指南或工具?

    2024-09-19
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    SIC的驱动电压和IGBT差别很大。 我们有一些在线仿真工具,如基于pelcx的温度仿真,也会提供相应的pspice等模型供客户做波形仿真。

    2024-09-19
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    SiC晶圆从150mm升级至200mm,相关的生产设备也要做大改变吗?

    2024-09-19
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    主要是母晶&结晶条件的控制要求会更严格。

    2024-09-19
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  • 时间
    2024-09-19 10:00:00
  • 主讲
    Esther Zhou
  • 厂商
    安森美
会议简介
电动汽车市场的蓬勃发展是SiC高速扩产的主要驱动力之一。安森美(onsemi) 深耕垂直整合链条“From powder to power ”(从小粉末到大能量), 至2024年,在SiC衬底产能,裸芯片产品,封装产能,以及新产品开发领域,分别实现了10倍,12倍,4倍和3倍的增长。在SiC衬底、裸芯片、封装及新产品开发等方面取得了显著进展。SiC晶圆从150mm升级至200mm,工艺平台从M1六边形元胞结构演进到M3条形元胞结构,提高了性能并降低了成本。同时,创新的顶部散热封装提升了MOSFET的散热效果和功率密度。此外,安森美还在硅基IGBT技术上保持领先地位,新推出的深沟槽FS7 IGBT具有更低的饱和电压和开关损耗。对于MOSFET,公司正逐步量产采用T10工艺的新一代产品,进一步优化了芯片利用率和散热性能。总体而言,无论是基于硅还是碳化硅的功率模块,都在朝着更高效率、更小尺寸和更强散热能力的方向发展。
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