作为第三代半导体器件，碳化硅MOSFET越来越受到学术界和工业的关注。碳化硅器件在给系统带来种种优势的情况下，对设计也提出了更高的要求。如果设计碳化硅MOSFET的驱动电炉，如何在故障情况下保护碳化硅MOSFET，已经成为产品设计中必须面对的问题。本期研讨会将由英飞凌工程师为你详细讲解。
碳化硅MOSFET驱动及保护设计
时间： 2019-06-04 10:00:00 （5年前）
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会议介绍
Infineone
英飞凌是全球领先的半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以及安全、无缝通信，连接现实与数字世界。2021财年（截止2021年9月30日），英飞凌在全球市场总营收约为110.60亿欧元。英飞凌在全球拥有大约52,280名员工（截至2021年09月）。
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主讲人
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赵佳，郑姿清赵佳，高级应用工程师,工学硕士。现任英飞凌集成电路（北京）有限公司现场应用工程师，主要研究方向为大功率电力电子器件及第三代宽禁带半导体应用技术与测试相关技术。
郑姿清，英飞凌科技（中国）有限公司，高级应用工程师。专注于IGBT器件开关性能的研究和测试超过十年，熟悉IGBT，SiC特点，擅长功率开关器件的驱动设计。2007年毕业于上海海事大学，电力电子专业，随后进入英飞凌工作，主要负责各种实验室测试工作以及驱动评估板的设计。
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