本次研讨会将介绍飞兆半导体的新一代超级结 SuperFET® II MOSFET 器件适用于 AC-DC 开关电源应用。
由于对数据处理速度和功率要求的不断提高,AC/DC 开关电源设计人员面临提高系统效率和功率密度的难题。 飞兆半导体的新型超级结 MOSFET 同时解决了各种难题。 超级结 MOSFET 基于电荷平衡技术,可降低导通电阻和寄生电容(通常这两个参数是一个权衡),从而能够提供出色的性能。由于寄生电容较小,这些超级结 MOSFET 具有极快的开关特性,从而可以减少开关损耗。 然而,由于没有 dv/dt 控制,漏源电压摆率达到 100 V/ns,这可能会导致电磁干扰 (EMI) 问题以及与器件或导致由于印刷电路板杂散寄生效应、开关电源中超级结 MOSFET 的非线性寄生电容有关的不稳定运行。 由于 SuperFET® II MOSFET 的优化设计,飞兆半导体的新一代超级结 SuperFET® II MOSFET 器件具有快速开关和低开关噪音特性,从而在应用中能够实现高效率和低电磁干扰 (EMI)。 在本次研讨会上,我们将介绍新一代超级结 MOSFET(SuperFET® II MOSFET)及其如何最大限度地减少您的设计工作量并提高 AC-DC 开关电源应用的系统效率和可靠性。
凡按时参加本次研讨会的听众都将获得10元手机充值卡,另外会从参加调查问卷的朋友里随机抽取5名幸运参加者将会获得由飞兆公司提供的精美鼠标一个