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Q是否内部集成续流保护？
A 使用 体二极管 作续流
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Q“短路能力”是何具体概念？
A 是指器件在一定的母线电压及驱动条件下，可以承受一定时间的短路电流而不损坏。比如对英飞凌SIC而言，单管可以你保证3us的短路而不损坏，模块可以保证2us的短路而不损坏。
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Q实际使用时，怎么测试这个，选多少A的驱动芯片？
A I_gmax=3.5A≥(V_CC-V_SS)/(R_Gint+R_Gext )=(15V-(-5V))/(4+2.2)=3.23A 根据规格书中的典型值，如果电流够就可以
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Q碳化硅MOSFET的大功率的MOS，最大功率是多大？
A没有最大，只有更大
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Q驱动芯片电流大本身电阻小，功耗小，那能不能尽量选择大电流的驱动芯片呢？
A 理论上可以，但对于功率很小的器件，在输出电流符合要求的前提下可以用小电流驱动，价格更好
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QPCB布板尽可能交叠是指所有器件吗？
A 主要指正负母排间
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Q碳化硅MOSFET导通和关断时间分别是多少？
A 参考规格书。实际的设计也会造成不同。
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Q测量是套头需要加外部件补偿吗？
A 一般不需要，SiC器件门极Q很小，加补偿容易介入回路引起错误
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Q碳化硅MOSFET的反向耐压有多大？
A 碳化硅MOSFET是反向导通器件，反向耐压=0V
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Q英飞凌碳化硅MOSFE损耗多高？
A 参考规格书。可以用在线仿真工具计算。
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Q请问使用碳化硅的常用元件有哪些，除了MOS管之外？
A 目前SiC二极管也很常用
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Q驱动过度或驱动不足将会对碳化硅MOSFET器件造成哪些具体影响？
A 主要影响的是开关损耗上，驱动的上升沿快，如果过度再用门极电阻调节，如果不足就没办法了
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Q英飞凌碳化硅MOSFE效率得以达到多少？
A 跟设计有关，可以采用在线仿真工具验证
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Q测量套头带宽有推荐的吗？
A 测Vds的话最好是600V时有20M的带宽能力
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QMOSFET的选用都需要注意什么
A我理解你是问SiC MOS. 除了跟普通Si器件一样的注意事项外，要格外关注高速带来的问题
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Q如何延长碳化硅的MOS管的使用寿命？
A 由于 功率器件，包括碳化硅的MOS管，的寿命取决于功率循环次数，因此延长碳化硅的MOS管的使用寿命的关键在于 (1)降低 结温变动 delta Tj, （2）降低 结温 Tj,
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Q碳化硅的MOS管的寿命和工作的状态（通过的电流，以及两端电压）存在关系吗
A 功率器件，包括碳化硅的MOS管，的寿命取决于功率循环次数。
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Q碳化硅的MOS管和普通的MOS管相比，选型时应额外注意些什么？
A门极电压
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Q碳化硅MOSFET器件并联运用时该如何筛选配对？务应特别注重哪几项关键的参数性能？
A 碳化硅MOSFET器件并联运用时，应以 Monte Carlo 方法，算出由于器件参数(Rds, Eon, Eoff）分布所影响的电流分布。
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Q老师您好，有一点一直没有特别清楚，驱动芯片的驱动电流应该如何选择，和功率管的额定工作电流由关系吗？
A 和门极电荷，输入电容，内部电阻有关
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