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碳化硅MOSFET驱动及保护设计 2019-06-04 10:00:00
  • Q英飞凌的产品在市场上有很大的占有率,性能也很好,贵司有哪些独特的技术?

    A 采用沟槽栅结构 具有更高的可靠性;门极阈值电压较高,具有更好的抗干扰能力等。请关注我们公众号,里面有更详细信息。

  • Q栅极布线电容如何计算呢

    A C_PCB=A/d ε_(r,FR4)∙ε_0, 其中,ε_0=8.854187817∗〖10〗^(-12) F/m 例如: 3.8 < er,FR4 < 4.6

  • Q门极误开通能否彻底避免?关键措施在哪?

    A 门极是米勒导通,只要有dvdt就不可避免,关键措施是在这种时刻能提供泻放回路,但又最好不要影响正常开关速度为佳

  • Q负载输出如何做到对称呢

    A尝试多种输出点,经过测量比较,选择最对称的

  • Q何为米勒钳位?

    A 就是在功率器件本身处于关断状态时,由对管dvdt经过Cgd灌入门极致使电压上升,如过这时有个泻放回路能保证低的门极电压,不超过阈值电压,这种钳位叫米勒钳位

  • Q请问碳化硅目前应用于哪些功率范围内的器件?

    A没有严格限制,多并联可以产生更大的功率

  • Q怎么抑制电压漂移

    A 请参阅  应用笔记 AN2018-09-Guidelines for CoolSiC™ MOSFET gate drive voltage window

  • Q碳化硅除了MOSFET IGBT外还有哪些器件可以用到?

    A 二极管也有成熟的商用产品

  • Q门极C.D极多少值合适?

    A问题不清楚

  • Q关于pcb布线有没有可以供参考的案例

    A 请参考郑工的PPT

  • Q这个在EMI方面会不会难过点

    A高开关速度会带来这个问题,设计方面需要注意

  • Q碳化硅在布线是需要注意哪些?

    A请参考郑工PPT

  • Q如何防止门极误导通?

    A 器件的选择考虑较高的阈值电压,驱动板设计考虑合理的门极布线以及开通速率的折中

  • Q怎么样才能提高碳化硅的耐压范围?

    A 如果您是从芯片的设计角度讲,那么芯片的耐压受衬底/外延掺杂浓度,厚度,元胞设计,终端设计,表面钝化层材料多方面的影响。如果是从系统设计的角度来讲,需要尽量减少回路的杂散电感,优化驱动设计,尽量减小DS电压尖峰

  • Q有没有高温驱动电路?

    A 如果所用器件和PCB都是耐高温的话就可以,英飞凌的驱动芯片都是可以用在150度的

  • Q如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能?

    A请参考郑工PPT

  • Q碳化硅(SiC)会是功率器件的终极选择吗?

    A 没有最好 只有更好

  • Q英飞凌碳化硅MOSFET短路耐受时间是多少?

    A TO-247封装的器件短路耐受时间3us, 模块封装的器件短路耐受时间2us

  • Q如何评估碳化硅MOSFET的可靠性?

    A 由于碳化硅MOSFET属于新技术, 目前可靠性测试的国际标准还在讨论中。 可以参考: A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability, Siemieniec, EPE-2017

  • Q如何提高碳化硅MOSFET器件电流密度?

    A优化元胞设计,提高散热能力