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Q有没有碳化硅mosfet的选型指南？
A 暂时没有，后续会出。简单的考虑，英飞凌45mohm的器件工作输出电流在20-25A
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Q如何用碳化硅MOSFET设计一个高性能门极驱动电路？
A请参考主讲人的PPT
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Q碳化硅MOSFET有哪些封装形式？
A 英飞凌目前有，单管TO-247，3脚或4脚，Easy1B，2B
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Q碳化硅MOSFET器件的特性优势有哪些？
A SiC MOSFET相对于IGBT来说，一是关断时没有电流拖尾效应，开关损耗小，频率可以做到很高。二是SIC 热导率好，工作结温更高，适合高温应用
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Q碳化硅MOSFET器件目前存在哪些发展瓶颈？
A 技术的成熟，成本的降低
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Q碳化硅也有贴片封装形式的器件吗？
A英飞凌目前还没有贴片SIC器件，未来会推出贴片封装形式的SIC
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QSiC与Si、GaN的主要特征差异在哪？
A SIC, GaN属于第三代半导体器件，相对于Si器件适用于更高的开关频率，具有更高的效率等优点。GaN器件相对于SiC适用于更高的开关频率，但是SiC可以用在更高的电压等级和功率。
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Q英飞凌将收购赛普拉斯，是否能起到哪方面的"补缺"效能？
A通过此交易，我们将能为客户提供最全面的产品组合，连接现实与数字世界。这将在汽车、工业和物联网领域开拓新的增长潜力 赛普拉斯拥有包括微控制器、软件和连接组件等具差异化的产品组合，与英飞凌具领先地位的功率半导体、传感器和安全解决方案优势高度互补。结合双方的技术资产将能为电动马达、电池供电装置和电源供应器等高增长应用领域提供更全面先进的解决方案
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QSiC MOSFET有哪些不同的保护方案？哪种更合理更有效？
A 目前主流是褪饱和检测和电阻检测，两者都比较直接，但对于3us的短路时间来说，还需要主要干扰
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Q碳化硅MOSFET是否必须在设计之初就考虑进去？还是可以在原有电路上进行替换设计？
A 最好在设计之初就考虑进去。因为SiC MOSFET驱动需求有别于IGBT。同时SiC MOSFET开关速度更快，对杂散参数更加敏感，这些都需要提前规划好
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Q英飞凌将收购赛普拉斯
A请参考英飞凌官网
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Q碳化硅器件在功耗上于其他同类产品相比是否有优势？
ASIC器件损耗有优势
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Q什么是驱动电炉？
A功率器件驱动电路需要提供多种功能，首先需要提供足够的驱动功率使功率器件开通或关断；其次，需要具有保护功率器件不受损坏的功率
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QMOSFET的故障保护主要通过硬件还是软件来实施？
A 双方在技术产品组合方面的优势高度互补，这将进一步拓展我们在汽车、工业和物联网等高速增长市场的市场潜力。 赛普拉斯拥有包括微控制器、软件和连接组件等具差异化的产品组合，与英飞凌具领先地位的功率半导体、传感器和安全解决方案优势高度互补。结合双方的技术资产将能为电动马达、电池供电装置和电源供应器等高增长应用领域提供更全面先进的解决方案。
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Q可否简要介绍一下第三代半导体器件相比于第二代有了哪些进步？
A 第三代半导体材料相比于第二代半导体禁带宽度更大，临界场强更高，饱和漂移速率更高，热导率也更高。表现在器件上，第三代半导体器件可以承受更高的电压，开关速率更快，能够承受的结温也更高。
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Q碳化硅器件在价格方面是否有优势？
ASIC器件本身目前比SI器件要高，但是使用SIC可以减小磁性元件体积及散热器体积，从整个系统的成本来看，某些应用使用SIC是有优势的
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Q“碳化硅器件在给系统带来种种优势的情况下”这里提到的“系统”是单指硬件系统吗？
A不是。碳化硅可以改变电路拓扑，简化控制算法。
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Q采用碳化硅器件，在电路设计上有哪些注意事项？
ASIC器件开关速度快，要注意减小功率及驱动回路的杂散电感。从驱动角度来讲，SIC器件的驱动电平与SI IGBT也有所不同。SIC器件短路耐受时间比IGBT短很多，最多只有3us，要注意短路保护电路的消隐及响应时间。
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Q可否介绍一下碳化硅的主要特性？
A请参考英飞凌工业公众号
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Q用碳化硅制成的MOSFET有何性能优势？
A取决于材料带来的种种优势，如损耗等
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