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Q碳化硅MOSFET相对IGBT有哪些优势？
A SiC MOSFET相对于IGBT来说，一是关断时没有电流拖尾效应，开关损耗小，频率可以做到很高。二是SIC 热导率好，工作结温更高，适合高温应用
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QSiC器件是以后的大趋势吗？
A第三代半导体是大趋势
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Q碳化硅MOSFET最最常见的失效模式有哪些？
A 过流失效，过温失效，门极过压及DS过压
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Q碳化硅MOSFET最最常见的失效模式有哪些？
A 过流失效，过温失效，门极过压及DS过压
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Q碳化硅MOSFET是否也有哪些性能短板呢？
A 就目前的技术而言，SIC MOSFET门极氧化层缺陷会比SI器件门极氧化层缺陷更多，因此阈值电压会随着长期的开关漂移，这是所有厂家的SIC都 无法避免的局限。因此需要仔细选择门极驱动电压，来尽量减少VTH漂移。英飞凌给出了选择门极电压的AN，可以最大程度克服这个缺陷
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Q设计时如何选择驱动电流？
A 郑工的PPT里面有讲到这个问题，请参考
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QPCB板布线时，有哪些注意点需要关注？
A请参阅 Reinhold Bayerer ; Daniel Domes, "Power circuit design for clean switching" 2010 6th International Conference on Integrated Power Electronics Systems
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Q在驱动回路中，在PCB布线中如果连接栅极的布线与漏极的布线靠的很近会不会产生很大的分布电容，在高频下产生很大的谐振或使驱动信号失效？
A 是的，所以这是要避免的。ppt里23页上，gate细些，s可以铺粗点
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Q寄生导通的危害体现在哪里
A 上下管直通，增加损耗，甚至直接短路。
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QSiC MOS管工作频率最高可以到多少？
A 理论上温度没问题的话开关频率可以很高的，但在实际使用中，特别是实际使用中特别是大功率环境，开关60kHz左右，具体值还看应用情况 最高开关频率取决于 1. 开关损耗 2. 开关速度 2. 开关速度取决於 dV/dt， EMI， 门极震荡，门极电压上下过冲 2a 门极电压上下过冲 会影响 门极阈值飘移： 请参阅应用笔记 AN2018-09-Guidelines for CoolSiC™ MOSFET gate drive voltage window
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Q器件选型方面，测量探头的选择有什么原则吗？
A 带宽要够大，如果是测量Vds的话，要保证高压下的带宽依然足够，比如在800V下还有10M以上的带宽
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Q英飞凌也出MOSFET管？基本不都是隔离电源和IC嘛
A 英飞凌在2017年正式发布碳化硅MOS产品
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Q碳化硅MOSFE驱动电压多高？
A 英飞凌推荐的门极驱动电压是+15V, 与IGBT的驱动电压兼容；最新的产品也可以工作在+18V电压获取更好的性能。请参考规格书。
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Q门级电压会影响输出纹波大吗？
A不会
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Q碳化硅MOSFE驱动保护电压多高？
A 可以和IGBT一致
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Q碳化硅也有晶闸管产品吧？
A 有的
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Q碳化硅MOSFE输出端短路后如何保护MOSFE？
A 碳化硅mos的短路能力有限，只有门极电压控制在15V以下才有3us的短路能力，SiC器件几乎不用于马达驱动，所以很少考量输出端短路
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Q为获得好的门极电压，开关频率设置多少比较合适？
A 门极电压 于 开关频率 的 关联， 唯一是 Vgs(th)飘移的考虑。 请参阅 应用笔记 AN2018-09-Guidelines for CoolSiC™ MOSFET gate drive voltage window
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Q碳化硅晶闸管有哪些突出的优越性呢？
A目前没有碳化硅晶闸管
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QSiC 二级管比普通二极管更具有优势吧？SiC 二级管在应用方面有哪些需要重点关注的？
A 高温时Rdson
- 0425召开 采用革命性的栅极驱动器技术简化并加速高功率 GaN 和 SiC 系统的实现
- 0306召开 适合物联网和可穿戴设备的“小型锂离子二次电池”