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QSiC MOSFET在电动汽车充电站的应用场合中有哪些优势？
A支持大电压大电流，可实现更高的充电平台。 更低的开关损耗，导通损耗，可实现更高的充电效率。 更小的体积，可实现更好的散热，减少散热系统的成本。
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Q东芝有配套的sic mos散热器吗？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 没有！
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Q东芝第三代SiC MOSFET相较于其前代产品有哪些技术上的改进和优势？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 1. 内置SBD，VF = 1.35V。 2. 低RDS(on) * Qgd 比上一代降低80%。 3. 宽的VGSS范围 -10V~ 25V。
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Q碳化硅功率器件与现在占据主导地位的硅功率器件相比较，其具有哪些优越的物理特性？
A碳化硅材料的击穿场强大约是硅材料的10倍。相同耐压器件，可以采用更薄的漂移层厚度，从而降低导通损耗。 碳化硅材料导热能力比硅材料高三倍。更容易降低器件结温。
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Q东芝提供器件还是模块？
A东芝可以提供分立器件和纯碳化硅模块
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Q碳化硅半导体如何在UPS应用上降低功耗？
ASiC MOSFET开关损耗比较小，用于UPS的逆变部分，自然就减小了功耗。
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QSiC MoS目前是市场主流了吗？
ASIC MOS 随着特斯拉在电动汽车上的应用，市场开始接受SIC的商业化。 目前在一些高性能，低损耗，小型化的应用市场逐步成为主流。
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Q东芝在功率半导体方面针对碳减排的具体措施有哪些？
A在整个能源链都提供系列化的高可靠性高效率功率半导体产品：发电端（光伏、风电等），输电端（柔性直流输电等），用电端（钢厂、汽车等）。
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Q东芝第三代SiC MOSFET都有哪些封装？
A目前主要是直插的TO-247，TO-247-4L。后续会推出贴片的DFN8x8和TOLL封装。
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Q东芝第三代SiC MOSFET关断损耗如何提取参数？
A关断损耗提取参数？麻烦详述一下问题。
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Q东芝第三代SiC MOSFET的导通电阻最低可以到多少？
A目前TO-247-4L封装的SIC MOS, 导通电阻最低为15mOhm(典型值）
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Q碳化硅功率器件的耐温程度?
A东芝的第三代碳化硅器件的结温最大值为175摄氏度
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Q哪些因素会影响东芝第三代SiC MOSFET的寿命？
A感谢您关注Toshiba SiC MOSFET！ 比如过电压，过电流，过热。
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Q东芝第三代SiCMOSFET能否能自动检测故障
A目前没有这个功能。
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Q东芝第三代SiCMOSFET都有哪些创新的保护优化？
A东芝SICMOS最大的特点在于内置SBD，而不是本体二极管，这样对VF有大的改善，这对一些有续流动作的应用非常有利，且对可靠性有提升。
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Q降低开关损耗在实际应用中有哪些好处
A器件有最大结温的限制。能耗来自于通态损耗和开关损耗。 在相同散热条件的情况下，降低能耗有助于降低结温，降低结温有助于提升寿命。 在相同结温的限制下，降低能耗可以考虑使用更有成本优势的散热方案。
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Q使用东芝的SiC MOSFET技术可以降低多好的碳排放？
A您好！利用SIC器件的特性，降低损耗，减少发热，实现高能效比，力求低碳排放，具体数据看案例
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Q3. SIC MOSFET系列的具体功耗参数如何
A功耗参数主要取决于你的应用。
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Q4. SIC MOSFET目前都提供哪些封装样式可供选购
ATO-3P(N), TO-247, TO-247-4L
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Q东芝第三代SiC MOSFET的寿命如何？
ASiC MOSFET的寿命，除了应用方面的影响外，本身主要是Gate栅极氧化层的寿命。 根据东芝内部的加速老化试验结构，第三代SiC MOSFET的栅氧层的寿命是10M years，1PPM。