-
QI2S可以连接音频数据吗？
A当然可以
-
QeDMA可以对传输的数据进行简单处理吗？
A eDMA只完成数据的搬移，不能对数据进行计算处理。
-
Q工程师你好，请问你一下，贵公司的MCU的LPI2C跟I2C有什么区别吗？
AKL28的I2C是全新的低功耗I2C。相比已有KL产品的I2C，LPI2C提供了更丰富的功能。LPI2C可以在stop/VPLS等低功耗模式下正常运行。它可以提供高达5M bps的波特率，支持SMBus v2的标准。可以同时工作在master和slave的模式下，从而可在I2C的bridge的应用中实现master和slave的迅速切换。LPI2C还支持4线模式，可以适应多种外部总线驱动器，提供更高总线驱动能力，更好的抗干扰能力，从而有帮助减少系统的BOM成本。
-
QKL28Z看起来很适合便携音频产品，但是价格如何呢？
A价格请直接联系当地销售代表或者代理商
-
QKL28的加密模式是否有将MUC配置为OTP的模式，即程序烧录后MCU不在可读写。
A不是，KL28有几种加密模式： flash 加密，和 flash access control (FAC). flash 加密 是在flash configuration field中的加密字写上，整个系统资源就被保护了，外部通过SWD调试口是不能访问内部存储器的。但是，内部的程序能可以访问任何资源。 对于FAC保护，它可以保护一段软件代码不被任何程序读写，仅仅被执行。 具体参见用户手册。谢谢！
-
QLPI2C第一次听，协议应该和普通的i2c一样吧
AKL28的I2C是全新的低功耗I2C。相比已有KL产品的I2C，LPI2C提供了更丰富的功能。LPI2C可以在stop/VPLS等低功耗模式下正常运行。它可以提供高达5M bps的波特率，支持SMBus v2的标准。可以同时工作在master和slave的模式下，从而可在I2C的bridge的应用中实现master和slave的迅速切换。LPI2C还支持4线模式，可以适应多种外部总线驱动器，提供更高总线驱动能力，更好的抗干扰能力，从而有帮助减少系统的BOM成本。
-
Q请问一下,不使用外部晶振,如何实现电路的运行?
AKL28的PLL可以使用内部48MHz的IRC作为时钟源，因此可以无需外部晶振运行在最高频率上。当USB工作在Slave模式时，可以使用48MHz IRC,无需外部晶振。
-
Q内置时钟精度在什么水平？
A有两种内部时钟源：慢速SIRC （2/8MH），和快速FIRC （48 – 60MHz）。前者可达3%， 后者达1.5%（全温度全电压范围）。谢谢！
-
QI2C I2S等的fifo的空间是独占的 还是通用内存的一部分?
A是模块自带的FiFO，不占用系统RAM
-
QKL28Z外设能否在cpu保持睡眠时相互触发？
A是的，这个就是他的一大优点，降低整体功耗。
-
QMCU有几种唤醒方式？
A MCU在低功耗模式下是通过各种中断唤醒的，中断源多达几十种，此外在LLS/VLLS模式下，需要 中断+LLWU模块的配合将MCU唤醒。
-
QUSB支持3.0吗？
A不支持
-
Q能举个实际应用示例,说明一下什么情况下采用高速模式比较经济?
A 假设我们有一个周期性的任务，间隔是1秒。 高速模式处理下，100微秒完成相关的运算操作，其余时间都可以处于几个微安级电流的睡眠模式。 这样可以达到节省电流的目的。 这里有一个能效的问题，就是相同的计算量，需要多少时间来完成，以及这段时间消耗的电流。 而这个电流-时间曲线围成的面积越小，能效越高。
-
Q在72MHz时，所有外设时钟全开，功耗能达到多少？
A暂时还没有这方面的数据。但在数据手册上，我们会给出各个模块的功耗数据。
-
QKL28Z内部FLASH分为多少块，每块大小多少？这个存储数据可以使用IAP功能保存自己的数据。
A两块， 每块256KB。可以使用。
-
QADC的2个参考电压可通过软件配置吗？
A可以
-
QKL28相比较KL26有那些区别 ？
A KL28与其他KL系列MCU包括KL26最主要的区别是，其有两个M0+的内核，此外其他许多外设也有一些更新和改进。
-
QFLEXIO能单独使用其中的定时器吗？
A 可以的，例如可使用定时器实现PWM的生成。
-
QKL28Z的USB支持哪几种模式？主从，OTG都支持吗？
AKL28Z 支持USB2.0全速模式，可以作为Master，Slave也支持OTG。在Slave模式下无需外部晶振。
-
Q有没有针对堆栈切换的优化? 方便操作系统
A KL28使用的是标准的ARM-cortexm0+内核，堆栈切换的方法都是通用的。 NXP会提供SDK开发软件包，里面直接支持ucosII，freertos等常见操作系统，方便客户直接进行应用开发。
- 0425召开 采用革命性的栅极驱动器技术简化并加速高功率 GaN 和 SiC 系统的实现
- 0306召开 适合物联网和可穿戴设备的“小型锂离子二次电池”