非易失存储器-特性分析与测量技术

时间: 2012-05-23 10:00:00 (10年前)

会议介绍

寻求替代FG NAND和快速开发非易失存储器(NVM)的替代技术,例如正在进行的相变存储器(PCM/PRAM)、铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)和阻性存储器(ReRAM)。先进的特性分析能力对于任何新技术的成功至关重要。尽管存储器技术种类很多,但是这些技术都需要进行同一类型的特性分析,例如瞬态开关性能、耐力,并需要动态电流测量。

非易失存储器-特性分析和测量技术将探讨和例举FLASH、PRAM、ReRAM和FeRAM等各种NVM技术的常用特性分析和测量技术。本期研讨会还将介绍标准测量仪器的改进——用单机提供脉冲源和测量,即同步测量电流和电压同时向存储器件或材料施加多个脉冲波形。

 

凡按时参加本次研讨会的听众都将获得10元手机充值卡
 

主讲人
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    Nicky Wang
    Nicky Wang 是美国吉时利仪器公司上海代表处的应用工程师,他于2010年加入吉时利,并在英国华威大学获得高级电子工程硕士学位。
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