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Q罗姆的 SiC 模块目前主要应用在新能源汽车的哪些核心部件上？分别解决了什么痛点？
A基本用在OBC和inverter中运用，可以提高效率
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Q罗姆提供碳化硅器件还是模块？
A单管和模块都有
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Q目前碳化硅器件能取代IGBT吗？
A1200V高压可以取代IGBT
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QTRCdrive pack模块支持最大的功率应用？
A不同电压模块的支持功率不同，我们有丰富的产品供选择，联系我们的FAE给您推荐
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QTRCdrive pack模块是否通过车规级认证？
A通过
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Q功率器件的封装对功率的影响有多大？它的设计需要考虑哪些方面？
A封装的散热能力和内部的layout等都功率有关
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QSIC模块推荐的栅极开启电压是多少？
A罗姆第四代SiC的栅极开启电压推18V
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Q碳化硅能否用在直流低压功率器件上？
A低压暂时不推荐
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Q 负压驱动有什么需要特别注意的地方？
A负压驱动需要兼顾负压spike不能超过Vgs的负压浪涌范围
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Q罗姆的SiC采用沟槽栅还是平面栅？
A第四代是沟槽栅，第五代是平面栅
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QROHM SiC 器件175℃+ 高温、功率循环下，烧结工艺、双面散热如何满足车规 AEC-Q101寿命要求？
A完成AECQ信赖性实验
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Q罗姆TRCDRIVE pack™碳化硅模块有哪些封装形式？
A目前有二种封装形式，根据内置chip不同大小也会不同。其他为了和其他模块P2P，TRCDRIVE PACK模块还可以搭载HPD的Adapator
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Q使用SiC MOS时，什么情况下需要并联SBD？
A当体二极管电流不能满足时候可以加SBD
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Q罗姆碳化硅模块有没有计划把芯片耐压推到1200V以上？
A正在计划开发1400V耐压的产品
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Q如何处理电压尖峰？
AVgs加米勒电容，米勒MOS等抑制电压尖峰，Vds电压尖峰可以通过snubber电路进行控制
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Q想知道SiC和常用MOSFET在电路设计，控制方式上有哪些区别？
ASiC速度比普通的MOS管快，所以需要做好抑制尖峰的外部电路设计
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Q仿真中的尖峰电压与实际工作时的情况是否一致？
A和spice模型有关，会有一定的误差存在
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QSiC MOSFET 栅极电压尖峰产生的主要原因是什么？
A封装内部的杂感，封装外部pin脚的杂感等
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QROHM的SiC芯片目前都有哪些系列或者品类？
A以第四代SiC产品为主
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