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ST LV Mosfet F7 series and package solution(ST F7系列低压Mosfet及其封装方案 2019-06-11 10:00:00
  • QST的功率MOS管的适用于温度范围是多少?

    A工作的温度范围是-55℃到175℃

  • Q低压MOSFET材料是什么做的?是sic吗

    A低压Mosfet用的是Si材料,而非SiC

  • QF7通过何种方式来降低阻抗?

    AMosfet的内阻主要来源于封装,通道,场效应区,外延层几个方面。通过工艺的提升主要是降低通道的内阻,改进封装来降低来自封装上面的阻抗。

  • QF7系列的工作温度范围如何

    A工作的温度范围是-55℃到175℃

  • Q有无评估板用于评估性能

    A我们有很多不同规格的评估板,如果有需要可联系我们Sales申请。

  • Q最低导通阻抗及最低开通电压是啥具体水平?

    A举ST现有的一个具体型号:STL260N4F7的导通电阻是1.1mohm,耐压是40V。开启电压带逻辑电平的产品是1.5-2.5V; 通用的产品是2.5-4.5V。

  • QF7系列中散热效率最优的是哪类封装形式?

    A如果用热阻Rthj-pcb来衡量的话,Powerflat5*6在这方面是比较优的。

  • Q器件的分类低压与高压是以什么为定界的呢?

    A这个没有明显的界定原则,不同公司的界定会有差别。ST LV Mosfet一般是150V以内的Mosfet和P通道的Mosfet。

  • QST 的LV MOSFET主要应用在那些方面?汽车电子与电机控制这方面的么?

    A除了汽车电子和电机控制,ST LV Mosfet还广泛应用于电源应用上,如手机充电器,服务器电源,通讯电源等。

  • QST是否也有哪些自主的非规范化的特殊封装形式或特效呢?

    A例如H2Pack就是我们自主的封装,它是与TO-263兼容的,区别在于中间那个脚H2pack是S脚(源极),TO263是D脚(漏极)

  • QST的低压MOS管F7系列相比前面系列性价比占优势吗?

    A同等规格水平的产品比较是有优势的

  • Q跟STripFET F4系列对比,有哪些性能改进?

    A主要是降低了内阻和Qg,提升了体二级管的特性。

  • Q比较常用和通用的封装一般是哪些?

    A通用的封装有TO220,TO220F,TO252,TO263,Powerflat5*6

  • QF7内部都集成有肖特基二极管吗?单片集成肖特基管有啥优势不?

    AF7内部没有集成肖特基二极管,在绝大部分应用中,F7自身的体二极管已经可以满足要求了。