-
Q碳化硅的MOS管目前有哪些实际的应用案例吗？可以提供分享吗
AEV-charge，solar，UPS
-
Q老师您好，有一点一直没有特别清楚，驱动芯片的驱动电流应该如何选择，和功率管的额定工作电流由关系吗？另外关于短路保护，讲座里提到了多种短路检测办法，检测电流、米勒平台，退饱和等，是基于什么考虑最终选择退饱和来作为SIC MOSFET的保护电路呢？
ASIC MOSFET的驱动峰值电流主要由门极驱动电压，电极电阻决定，驱动功率由门极电荷与开关频率决定，一般来说功率管的额定工作电流越大，芯片面积越大，门极电荷就会越大，因此需要的驱动电流就越大，你可以参考如下的文章 https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5Njk3NDA1Mg==&mid=2650986945&idx=1&sn=3b5fa78e16a9792e54dc13b285a32113&chksm=8b519c4abc26155ce2493cc1672e96bb185eeff3b519992f8ea3ce31bc332cd603de73ebce52&token=2131967190&lang=zh_CN#rd。 最终选择退饱和检测，是因为很多驱动芯片里集成了退饱和检测的功能，外围电路搭建简单实用，保护效果也好。
-
Q碳化硅MOSFET短路保护外围需要加其他元件吗？
A需要，比如一些电阻电容
-
Q碳化硅mosfet使用需注意那些问题
A系统杂散电感要小
-
Q门极布线有何诀窍？
A低寄生电感，低寄生电容
-
Q您好，PPT课件哪里能下载？讲的速度有点快，需要慢慢吸收
A此在线研讨会平台会一直开放，随时可以登陆上来观看
-
Q是否也有贴片封装的碳化硅MOSFET产品？
A 有的，英飞凌会推出
-
Q与Si相比，SiC MOSFET的成品率是否要低得多？
A由于碳器件已经有几十年的经验，所以成品率会高
-
Q能够提供本次研讨会的视频或资料吗？可以的话，请发送到我的邮箱382896776@163.com，谢谢！
A本在线研讨会平台一直开放，随时可以登陆上来观看
-
Q碳化硅MOSFET和常规MOSFET相比优势在哪里？
A取决于材料带来的种种优势，如损耗等
-
Q碳化硅MOSFET目前的技术发展成熟度有多高？属于常规技术了么？
A与硅器件比还不能算是成熟，技术还在不断提高过程中
-
Q需有严格的散热要求吧？
A频率越高开关损耗越大，需要加强散热设计
-
Q碳化硅MOSFET的开关频率可以做到多高？
A通常应用频率几十kHz到100kHz，更高的开关频率需要良好的热设计
-
Q碳化硅MOSFET的热特性和导通电阻有多大的提升？
A问题不清楚
-
Q英飞凌的碳化硅技术属于超前技术么？目前有多少公司掌握该技术？
A英飞凌的碳化硅MOS采用领先的沟槽栅技术，目前少数几家公司采用
-
Q与Si与GaN相比，SiC MOSFET的成本或售价孰高孰低？
ASiC和GaN器件成本会比Si器件高，两种第三代半导体材料的应用领域不同，不宜直接进行价格对比
-
Q我从哪里可以申请到规格书
A请参考英飞凌官方网站： https://www.infineon.com/cms/en/product/power/ 本在线研讨会平台一直开放，随时可以登陆上来观看
- 0306召开 适合物联网和可穿戴设备的“小型锂离子二次电池”
- 0327召开 针对于医疗业界院内感染対策使用的USHIO Care222消毒技术介绍