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问答精选

[主题] ]碳化硅MOSFET驱动及保护设计

会议时间:2019-06-04 10:00:00
碳化硅MOSFET有什么优势  来自于SIC材料的优势,更低的损耗,可以工作于更高的开关频率 IGBT开关的在应用时的优点有哪些呢  可以更明确的解释这个问题吗。我理解该问题是问IGBT的优势,作为一个成熟的产品,IGBT在设计中相对于SIC有更成熟的经验,目前的功率等级也可以做的更大... 英飞凌碳化硅MOSFET的实际开关频率多少?  需要根据实际应用来选择,考虑开关损耗造成的发热和应用的其他限制。目前从几十khz到上百hz都有设计。 英飞凌碳化硅MOSFET的最大工作电压多高?  目前英飞凌量产推出了1200V电压等级的先导产品,更高电压等级的器件已经在研发中 门极误开通风险公式好像与计算对不上。应该是Cdg/Cgs?  Cdg/Cgs * Vds 是最简化、也是最差情况的指标。实际上会比这指标算出来的好得多。   SiC MOS管从性价比角度讲,适合在哪些应用条件下使用?  基于目前SIC的成本,需要在系统层面去减少总成本;SIC目前在光伏,UPS、充电桩等等应用领域已经光伏应用。 英飞凌碳化硅MOSFET的输出功率可以达到多大? 不同的碳化硅Mos输出功率不一样,比如1200V,45mohm的管子,输出电流20-25A,600V-800V  管子导通的波形怎样才是最好的?  尽量无过冲,震荡等 碳化硅怎样才能提高工作效率? 频率更高,损耗更小 何为CMTI?  共模瞬态抑制。
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