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Q如何用新一代的超级结MOS管替代常规的IRF460，现在遇到的问题是用460没有问题，用FCH76N60NF空载驱动波形有很高的尖峰干扰，用460就没有，现在的项目是6KVA逆变修改为10KVA,如何修改电路能顺利替换，电路是全桥
A 通常来说增大驱动电阻会有较好的改善。推荐用我们新一代的SJ MOS FCH041N60F
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Q请问最大效率、工作电流是多少的，是否可以提供样片？
A最大效率，工作电流与具体的系统设计有关，我们可以提供样片支持。
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Q提升效率要考虑哪些方面的因素？
A不同应用条件时对 电路拓扑结构的选择，EMI要求对于开关频率和开关速度的限制，磁性容性元器件与开关频率的匹配，以及成本与性能的折中等等。
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QPowerClip封装是什么封装？你们是第一家吗？
A powerclip简而言之就是把下管倒过来，然后将高侧源极和低侧漏极在内部通过铜条连接，业界不止我们一家有
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Q这样的MOS在电源领域主要应用在哪些地方，多少伏特的？
A可以用于DC-DC 同步降压转换，服务器、台式计算机和笔记本电脑，通信、路由和开关 ，电压等级从25V到100V不等
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Q铜片取代铜线，寄生电容和EMI效果十分明显？ 该解决方案，效率提高了多少？
A 铜片取代铜线，过电流能力会更强，而且寄生电感会减小很多，对电压尖峰以及EMI都有好处。效率跟实际的应用关系很大
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Q该类器件有无独特的创新优势？
A Fairchild提供了高度集成MOSFET的解决方案，在一个优化了的Powerclip封装中集成了分立MOSFET 。这种解决方案可以减小器件连接中的寄生电感，缩小产品尺寸，也改善了EMI表现，同时简化了PCB布板。热性能也通过一个先进的封装设计而大大提高。
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Q减少电感，意思是不用电感吗？怎么可能
A 这里减少电感的意思是指减少Mos管内部以及PCB上的寄生电感
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Q仙童和飞兆什么关系
A 是同一家公司，都是Fairchild
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Q相比现在普遍的其他的方案，PowerClip Dual MOSFET系列功率密度可以提高多少？
A 要看具体应用。但是Dual cool的MOSFET散热条件较好。
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Q这款产品的功率密度可以达到多少呢？
A 我们的PowerClip双管功率密度比通常的方案面积小25%-50%，功率密度就是大约通常的1.3-2倍
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Qpower mosfet与igbt的原理与应用场合有什么区别？
A power mosfet与IGBT由于不同的特性和成本，一般适用的场合也不同。简单来讲，power mosfet表现出的电阻特性，适用于中低压场合，IGBT表现出的管压降特性比较适用于高压大电流场合。
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Q封装技术首先要考虑的是散热吧，或者说目前的设计中都不用考虑散热的吗，因为热量本来就很低？
A散热是封装技术要考虑的一个方面，另一个方面是降低寄生参数，使应力更低，在实际的应用中留有更多的余量。目前的Mosfet的技术Rds（on）是越来越小，导通损耗降低；但是工作频率越来越高，开关损耗会增加，这是另一个方面的损耗
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Q本人就是从事功率MOS器件这一块的，目前研究的是功率LDMOS集成这一块，感觉大多技术都需要根据工艺来实现，比较死板，前景到底怎么样，找工作怎么样，谢谢
A 新的工艺对MOS性能提升相当重要。我们的MOS工艺水平一直在演变进步，MOS的一部分核心技术就在这里。
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Q能否直接代换旧器件？
A不行，虽然大小一样，内部pin脚还是有些区别，因为以前是单管，现在是双管
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Q是不是输入电压越高，MOS的热量越大呢？
A 热量越大说明是损耗越高，Mosfet的损耗跟电压、电流、开关频率都有关系
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QMOsFEt 都有什么样的封装。那种封装的功率大点？
A 分立mosfet的封装朝向无引脚，紧凑和3D方向发展。不同封装的功率处理能力不仅与封装大小本身有关，也与外部散热条件相关。目前来看TO-247，TOLL，和Dual Cool功率处理的能力相对较强。
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Q请问下，贵公司这个PowerClip Dual MOSFET系列是从最底层器件研究还是有现成MOS功率管自己组装的？
A Fairchild所有的Mos都是自己的技术，从Die到封装都是自己的
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QMOSFET封装的最大功率可以达到什么水平？
A 这个要看具体的封装。不同的封装的可承受的损耗不同。技术手册里都有Pd这个参数。
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Q请问，上升和下降时间为多少？
A 上升和下降时间请参考具体的技术手册，里面的EC table里有这个参数。
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